【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆。
技术介绍
1、碳化硅沟槽型金属-氧化物半导体场效应晶体管(sic trench mosfet)是一种采用碳化硅(sic)作为主要材料的功率半导体器件，其特点是采用了栅极沟槽的设计。sictrench mosfet具有电流密度大，单元间距小等优点。然而，栅极沟槽的底部，尤其是槽底边缘的电场强度大，导致栅极沟槽底部的氧化层容易被击穿。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆，可以避免栅极沟槽底部的电场集中，提高栅极沟槽的击穿电压。
2、第一方面，本申请提供了一种碳化硅场效应晶体管，包括：
3、沿第一方向层叠设置的漏极层、第一掺杂衬底层、第一掺杂外延层、第二掺杂基区层、第一掺杂层和源极层，所述第一掺杂衬底层、所述第一掺杂外延层和所述第一掺杂层的掺杂类型相同，所述第一掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂衬底...
【技术保护点】
1.一种碳化硅场效应晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，所述第二掺杂第一子区域和所述第二掺杂第二子区域在所述第一掺杂衬底层上垂直方向的投影不重叠。
4.根据权利要求1所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，所述源极沟槽的侧壁设置有第一掺杂电流扩散区和第一金属结构，所述第一金属结构用于和所述第一掺杂电流扩散区形成肖特基接触；
5.根据权利要求4所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，所述第一金属结构的材质为钛。p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅场效应晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，所述第二掺杂第一子区域和所述第二掺杂第二子区域在所述第一掺杂衬底层上垂直方向的投影不重叠。
4.根据权利要求1所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，所述源极沟槽的侧壁设置有第一掺杂电流扩散区和第一金属结构，所述第一金属结构用于和所述第一掺杂电流扩散区形成肖特基接触；
5.根据权利要求4所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，所述第一金属结构的材质为钛。
6.根据权利要求1所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，所述第一掺杂层靠近所述源极层的表面设置有第二金属结构。
7.根据权利要求6所述的碳化硅场效应晶体管，其特征在于，所述第二金属结构的材质为镍。
8.一种碳化硅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的碳化硅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第一掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗成志，
申请(专利权)人：安徽长飞先进半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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