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本申请公开了一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆，属于半导体技术领域。碳化硅场效应晶体管包括：沿第一方向层叠设置的漏极层、第一掺杂衬底层、第一掺杂外延层、第二掺杂基区层、第一掺杂层和源极层；两个源极沟槽从第一掺杂层靠近源极层的...
该专利属于安徽长飞先进半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽长飞先进半导体有限公司授权不得商用。

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