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本发明公开了一种半导体器件的处理方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括碳化硅衬底和位于所述碳化硅衬底一侧的外延层；对所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧进行减薄处理；在所述碳化硅衬底远离所述外延层的一侧形成凹槽，且所述凹槽的深度小于或...
该专利属于安徽长飞先进半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽长飞先进半导体有限公司授权不得商用。

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