一种气体输送装置及半导体沉积设备的温度控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种气体输送装置及半导体沉积设备的温度控制方法，属于半导体制造技术领域。气体输送装置包括壳体、内腔、第一气体混合通道、多个第一连通通道和第一进口，内腔设于壳体内，内腔的一端设有用于与反应腔连通的出口；第一气体混合通道环设于内腔的四周；多个第一连通通道沿内腔的周向均布分布，多个第一连通通道设于第一气体混合通道和内腔之间，第一连通通道包括大口端和小口端，大口端连通第一气体混合通道，小口端连通内腔；第一进口设于壳体，第一气体混合通道通过第一进口与外界气体供应源连通。通过在内腔外周设置多个第一连通通道和第一气体混合通道，解决了气体不能均匀流入喷淋盘，影响气体在晶圆上沉积均匀性的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种气体输送装置及半导体沉积设备的温度控制方法。

技术介绍

1、在半导体沉积设备中包括反应腔和为反应腔提供反应气体的专用气路，气路为反应腔输送不同的反应气体，以实现反应腔内部的反应。现有技术中，气路设有一个进口，反应气体从进口进入气路，可以通过气路伴热进行升温，之后反应腔气体均采用气路直接接入反应腔进气管。目前的接入方式因结构限制，不能保证反应气体均匀的流入喷淋盘，从而导致了反应气体在晶圆上沉积不均匀。

2、因此，亟需一种气体输送装置及半导体沉积设备的温度控制方法，以解决上述问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种气体输送装置及半导体沉积设备的温度控制方法，解决了反应气体不能均匀流入喷淋盘，影响反应气体在晶圆上沉积均匀性的问题。

2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：

3、一方面，提供一种气体输送装置，包括：

4、壳体；

5、内腔，设于所述壳体内，所述内腔的一端设有用于与反应腔连通的出口；

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【技术保护点】

1.一种气体输送装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述第一连通通道(4)包括至少两段通道，两段所述通道均为等截面通道，第一段通道的开口面积大于第二段通道的开口面积，所述大口端设于所述第一段通道背离所述第二段通道一端，所述小口端设于所述第二段通道背离所述第一段通道一端。

4.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述第一连通通道(4)与所述第一进口(5)在所述第一气体混合通道(3)错开设置。

5.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特...

【技术特征摘要】

1.一种气体输送装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述第一连通通道(4)包括至少两段通道，两段所述通道均为等截面通道，第一段通道的开口面积大于第二段通道的开口面积，所述大口端设于所述第一段通道背离所述第二段通道一端，所述小口端设于所述第二段通道背离所述第一段通道一端。

4.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述第一连通通道(4)与所述第一进口(5)在所述第一气体混合通道(3)错开设置。

5.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，多个所述第一连通通道(4)的小口端的开口面积之和、所述第一进口(5)的开口面积以及所述第一气体混合通道(3)的截面面积三者相等。

6.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述内腔(2)为圆形腔，所述第一气体混合通道(3)为矩形环，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，沈文杰，黄剑利，张华敏，吴茂敏，叶文杰，董朝乾，
申请(专利权)人：浙江求是创芯半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：