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本发明公开了一种气体输送装置及半导体沉积设备的温度控制方法，属于半导体制造技术领域。气体输送装置包括壳体、内腔、第一气体混合通道、多个第一连通通道和第一进口，内腔设于壳体内，内腔的一端设有用于与反应腔连通的出口；第一气体混合通道环设于内腔的...
该专利属于浙江求是创芯半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江求是创芯半导体设备有限公司授权不得商用。

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