用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构制造技术

一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，该封装结构包括：发光单元、第一导电单元、第二导电单元及绝缘单元。发光单元具有一发光本体、两个分别成形于发光本体上的正、负极导电层、及一成形于正、负极导电层之间的第一绝缘层。第一导电单元具有一成形于正极导电层上的第一正极导电层及一成形于负极导电层上的第一负极导电层。第二导电单元具有一成形于第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于第一负极导电层上的第二负极导电结构。绝缘单元具有一成形在第一绝缘层上并且位于第二正、负极导电结构之间的第二绝缘层。本实用新型专利技术能够提供较大的导电面积及散热面积。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管封装结构，尤其涉及一种用于增加导电 及散热面积的晶片级发光二极管封装结构。
技术介绍
请参阅图l所示，其为公知发光二极管封装结构的结构示意图。由上述 图中可知，公知发光二极管封装结构包括 一发光本体1，两个分别设置于 该发光本体1上的正极导电层P及负极导电层N、 一设置于该发光本体1的底部的反射层2、及一用于包覆该发光本体l的透明封装胶体3。再者，该发光二极管封装结构设置于一电路板p上，并且通过两条导线w以分别将该正极导电层P及该负极导电层N电性连接于该电路板。此外，该发光本体1产生的一部分光束直接产生向上投射的效果，并且该发光本体 1所产生的另一部分光束L通过该反射层2的反射以产生向上投射的效果。 然而，上述公知发光二极管封装结构具有下列缺点存在1、 上述该正极导电层P及该负极导电层N只裸露出一部分的面积，因 此该正极导电层P及该负极导电层N无法提供较大的导电面积(无法提供较 大的电源功率)及散热面积(无法提供较佳的散热效率)。2、 由于该透明封装胶体3将该发光本体1包覆住，所以该发光本体1 所产生的热因受到该透明封装胶体3的阻碍而无法进行散热，因此公知发光 二极管封装结构的散热效果非常不好。3、 该反射层2、该透明封装胶体3、及上述两条导线w皆为公知发光二 极管封装结构在制作时必要的结构特征，因此公知发光二极管封装结构在制 作时不仅较费时，也产生较高的制作成本。是以，由上可知，上述公知的发光二极管封装结构，在实际使用上，显 然具有不便与技术缺陷存在。因此，本专利技术人有感于上述技术缺陷的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用，而提出一种设计合理 且有效改善上述技术缺陷的本技术。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题，在于提供一种用于增加导电及散热面 积的晶片级发光二极管封装结构。本技术通过大面积的一第二正极导电 结构及一第二负极导电结构的使用，以提供较大的导电面积(能提供较大的 电源功率)及散热面积(能提供较佳的散热效率)。为了解决上述技术问题，根据本技术的其中一种方案，提供一种用 于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其包括 一发光单元、 一第一导电单元、 一第二导电单元及一绝缘单元。其中，该发光单元具有一 发光本体、 一成形于该发光本体上的正极导电层、 一成形于该发光本体上的 负极导电层、 一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层、及 一成形于该发光本体内的发光区域。该第一导电单元具有一成形于该正极导 电层上的第一正极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层。该 第二导电单元具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一 成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构。该绝缘单元具有一成形在 该第一绝缘层上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间 的第二绝缘层。再者，本技术用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结 构还进一步包括 一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元 底部及周围的荧光层。因此，本技术用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结 构的特点在于1、因为第二导电单元具有一成形于该相对应第一正极导电层上的第二 正极导电结构及一成形于该相对应第一负极导电层上的第二负极导电结构， 并且每一个第二绝缘层成形于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构 之间，所以该第二正极导电结构及该第二负极导电结构能提供较大的面积以 提供导电及散热。借此，本技术所制作的晶片级发光二极管封装结构能 提供较大的导电面积(能提供较大的电源功率)及散热面积(能提供较佳的散热效率)。2、 以上述第一实施例而言，该荧光层可成形于该发光单元的氧化铝基 板的底部，以配合该发光区域所产生的光束来提供白色光源。以上述第二实 施例而言，该荧光层成形于该发光单元的底部及周围，以配合该发光区域所 产生的光束来提供白色光源。3、 本技术不需要使用像上述公知一样的导线、反射层及封装胶体， 因此本技术用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构在 制作时可大大降低制作时间及成本。为了能更进一步了解本技术为达成预定目的所采取的技术、手段及 功效，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，相信本技术的目 的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与 说明用，并非用来对本技术加以限制。附图说明图1为公知发光二极管封装结构的结构示意图2A至图2K分别为本技术用于增加导电及散热面积的晶片级发 光二极管封装结构的制作方法的第一实施例的制作流程示意图2L为本专利技术第一实施例的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二 极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上；图3A至图3C分别为本技术用于增加导电及散热面积的晶片级发光 二极管封装结构的制作方法的第二实施例的部分制作流程示意图；以及图3D为本专利技术第二实施例的用于增加导电及散热面积的晶片级发光二 极管封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。其中，附图标记说明如下1 发光本体P 正极导电层 N 负极导电层2 反射层3 透明封装胶体6WL 光束 W 晶片1 a 发光单元M a R a R a2 aS a3 84 aS P第一导电层 光致抗蚀剂 光致抗蚀剂 第一导电单元绝缘材料层 第二绝缘层 第二导电单元荧光层 荧光层 高分子基板 电路板Z a 发光二极管封装结构10 a 发光本体A a 发光区域 100 a 氧化铝基板 101a 氮化镓负电极层 102 a 氮化镓正电极层 11a 第一绝缘层 P a 正极导电层 PI a 正极导电区域 N a 负极导电层Nla 负极导电区域Ma' 第一导电层Rla 盲孔2P a 第一正极导电层2Na 第一负极导电层4P a 第二正极导电结构 4Na 第二负极导电结构 Cu 铜层 NiAu/ SnB a 锡球 B a ' 锡膏 La 光束 W 晶片5b 荧光层5 b ' 荧光层S 高分子基板P 电路板B b 锡球B b ' 锡膏Lb 光束具体实施方式请参阅图2A至图2K所示，本技术第一实施例提供一种用于增加 导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步 骤步骤S100为请配合图2A所示，提供一具有多个发光单元la的晶片 W (图式中只显示出该晶片W上的其中一个发光单元la)，其中每一个发 光单元1 a具有一发光本体10 a 、 一成形于该发光本体10 a上的正极导电层 P a (例如P型半导体材料层)、 一成形于该发光本体10a上的负极导电层 Na (例如N型半导体材料层)、 一成形于该正极导电层P a及该负极导电 层Na之间的第一绝缘层11 a 、及一成形于该发光本体lOa内的发光区域 A a ，其中该第一绝缘层11 a可为一高分子材料层(polymer layer)或一陶 瓷材茅斗层(ceramic layer)。此外，该发光本体10 a具有一氧化铝基板100 a 、 一成形于该氧化铝基 板100 a上的氮化镓负电极层101 a 、及一成形于该氮化镓负电极层101 a上Z b 发光二极管封装结构1 b 发光单元A b 发光区域C 凹槽的氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于增加导电及散热面积的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包括：　一发光单元，其具有一正极导电层、一负极导电层、及一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的第一绝缘层；　一第一导电单元，其具有一成形于该正极导电层上的第一正 极导电层及一成形于该负极导电层上的第一负极导电层；　一第二导电单元，其具有一成形于该第一正极导电层上的第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上的第二负极导电结构；以及　一绝缘单元，其具有一成形于该第一绝缘层上并且位于该第二正 极导电结构及该第二负极导电结构之间的第二绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，萧松益，陈政吉，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]