【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、半导体设备制造可包括氮化硅膜的沉积。氮化硅薄膜具有独特的物理、化学和机械性质，因此用于各种应用。例如，氮化硅膜可用于扩散阻挡层、栅极绝缘体、侧壁间隔物、封装层、晶体管中的应变膜等。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、一个方面涉及一种处理衬底的方法，所述方法包括：向处理室提供具有暴露表面的半导体衬底；通过(1)加热所述半导体衬底至第一温度和/或(2)将所述半导体衬底暴露于含氮等离子体以在所述半导体衬底上执行预处理；使用配料时间将卤硅烷气体的气流引入所述处理室；在停止所述卤硅烷气体的气流后，清扫所述处理室持续第一清扫时间；使用转换时间将第一含氮气体的气流引入所述处理室以通过热式原子层沉积形成氮化硅；以及在停止所述第一含氮气体的气流后，清扫所述处理室持续第二清扫时间。
...【技术保护点】
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
2.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述暴露表面包括氧化硅。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过点燃第二含氮气体形成所述含氮等离子体。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一温度和所述第二温度是相同的。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述卤硅烷气体包括氯。
7.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
8.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
9.一种用于处理衬底的装置
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
2.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述暴露表面包括氧化硅。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过点燃第二含氮气体形成所述含氮等离子体。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿维尼什·古普塔，巴特·J·范施拉芬迪克，乔恩·亨利，奥克萨娜·萨夫查克，韦逢艳，伊斯瓦·斯里尼瓦桑，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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