【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路制造工艺，特别涉及种籽层边缘缺陷监测装置及方法。
技术介绍
1、在集成电路制造
中，传统的线路材料一般为铝。但是随着集成电路工艺尺寸的减小，铝的高电阻缺点逐渐体现出来。铜因为有着良好的导电性替代了铝被应用于高度集成电路的线路材料。但是铜的一个缺点是很容易扩散到作为基底层101的硅或者sio2中，如图1所示，一旦铜扩散到基底层101内，将会严重影响器件的性能。因此必须先在介质层102上覆盖一层材料来阻止铜的扩散。这层材料称为扩散阻挡层103，扩散阻挡层103的材料一般选用ta/tan。铜的另外一个缺点是难以刻蚀，不能像铝一样先沉积再刻蚀图形。常见的做法是先刻蚀出线路图形，再用物理沉积法(pvd)电镀出铜线路。但是电镀时需要导电，因此必须在扩散阻挡层103表面覆盖一层铜种籽层(seed layer)104用以导电。当电源加在铜(阳极)和硅片(阴极)之间时，阳极的铜发生反应转化成铜离子和电子，同时阴极也发生反应，阴极附近种籽层表面的铜离子与电子结合形成镀在种籽层表面的电镀铜层，最终形成线路。
2、如图2...
【技术保护点】
1.种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
6.根据权利要求4或5所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
6.根据权利要求4或5所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的种籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的籽层边缘缺陷监测装置，其特征在于：
9.一种种籽层边缘缺陷监测方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
10.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：金一诺，汪东升，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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