【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体晶体迁移率变化测量，具体涉及一种测量半导体晶体迁移率变化的原位辐照装置。
技术介绍
1、目前，随着半导体探测器应用的日臻成熟，其在长时间工作的稳定性方面迎来巨大的挑战。
2、现有测量辐照后半导体迁移率变化的装置，需要将辐照后的晶体取出后再置于测量装置中进行测量，但由于晶体受辐照后存在辐照活化效应，即辐照后的晶体相当于一个新的放射源，立即取出会对操作人员产生辐射，因此，需要将晶体样品放置在辐照装置一段时间消除活化效应影响之后，再取出进行上升时间的测量，之后经过数据处理，拟合得出辐照后晶体迁移率的变化；但该方式存在以下问题：
3、1)整体操作较为繁琐，需等待一段时间后再将辐照后的晶体取出后才能测量，极大延长了测试周期；
4、2)辐照后会在半导体内部产生载流子，这些产生的载流子，可能与半导体内部缺陷，以及载流子之间发生复合，如此可能会使内部载流子的数量减少，从而导致测试结果的不稳定。因此，需要在测试时，对取出后的晶体进行激光照射或者核素源照射才能测量，由此增加了测量装置的复杂性。
...【技术保护点】
1.一种测量半导体晶体迁移率变化的原位辐照装置，其特征在于：包括辐照发生模块、探测器测试模块以及温度控制模块；
2.根据权利要求1所述一种测量半导体晶体迁移率变化的原位辐照装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述一种测量半导体晶体迁移率变化的原位辐照装置，其特征在于：
4.一种利用权利要求1-3任一所述原位辐照装置测量辐照后半导体晶体迁移率变化的方法，其特征在于，分为以下两种情况：
【技术特征摘要】
1.一种测量半导体晶体迁移率变化的原位辐照装置，其特征在于：包括辐照发生模块、探测器测试模块以及温度控制模块；
2.根据权利要求1所述一种测量半导体晶体迁移率变化的原位辐照装置，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏广，于晖，余海文，陈建全，徐凌燕，介万奇，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：
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