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关于辐照后测量半导体迁移率变化的原位辐照装置制造方法及图纸
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下载关于辐照后测量半导体迁移率变化的原位辐照装置的技术资料
文档序号:43064521
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本发明提供了关于辐照后测量半导体迁移率变化的原位辐照装置,解决现有测量辐照后半导体迁移率变化方法存在操作繁琐、周期长、测量装置复杂、测量效率低的不足之处。本发明原位辐照装置优化现有装置,兼顾辐照和测量功能,无需将辐照后的晶体取出,辐照发生模...
该专利属于西北工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过西北工业大学授权不得商用。
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