【技术实现步骤摘要】
本技术属于激光刻划
，尤其涉及一种激光刻划纠偏系统。
技术介绍
随着激光技术的不断发展，激光加工技术(如激光打标、激光焊接或激光雕刻等) 越来越广泛地应用于各种精密加工。目前发展较为成熟的非晶硅薄膜太阳能电池芯片采用 激光刻划其电极，激光刻划槽具有三道，对所述刻划槽的技术要求为刻划槽光滑清晰，刻 线槽两侧没有粘连短路，三道刻划槽相互平行，三道刻划槽的宽度加它们之间的间距不超 过0. 5mm。伴随每一次刻划都会有 刻划线槽与前一道刻划槽偏离而交叉的可能，如果未在刻 划前及时将即将进行的刻划槽相对于前一道刻划槽的偏离纠正过来，就会出现刻划槽两侧 粘连短路或三道刻划槽的宽度加它们之间的间距超过0. 5mm的现象，造成次品或废品，既 降低生产效率又浪费，市售激光刻划设备加工出来的非晶硅薄膜太阳能电池芯片往往因此 不符合要求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可自动及时纠正即将进行的刻划槽相对于前一 道刻划槽的偏离的激光刻划纠偏系统。本技术是这样实现的，一种激光刻划纠偏系统，包括定位旋转轴、固设于所 述定位旋转轴的定位杆、设于所述定位杆一端的推动装置、设于所述定位杆...
【技术保护点】
一种激光刻划纠偏系统，其特征在于，所述激光刻划纠偏系统包括定位旋转轴、固设于所述定位旋转轴的定位杆、设于所述定位杆一端的推动装置、设于所述定位杆另一端的从动导向旋转装置、驱动所述推动装置运动的电机、控制所述电机运转的控制器以及与所述控制器电连接的影像检测装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高云峰，倪鹏玉，刘宇，
申请(专利权)人：深圳市大族激光科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]
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