制造ＰＩＰ电容器的方法技术

本发明专利技术披露了一种制造ＰＩＰ电容器的方法。用于制造ＰＩＰ电容器的方法包括：在硅衬底上形成场氧化膜的步骤，其用来限定器件隔离区和有源区；在场氧化膜上形成其中掺杂有杂质的下部多晶硅电极的步骤；实施氧化步骤以在其中掺杂有杂质的下部多晶硅电极的顶部和侧壁上形成第一氧化膜并同时在硅衬底的有源区上生长第二氧化膜的栅极氧化步骤；以及在第一氧化膜的区域上形成上部多晶硅电极并与此同时在第二氧化膜上形成栅电极的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，更具体地，涉及一种制造PIP电容器的 方法。
技术介绍
PIP (多晶硅-绝缘层_多晶硅)电容器是一种广泛用于防止模拟电路发射噪声和频率调制的器件。由于PIP电容器具有由多晶硅(与逻辑电路的栅电极的材料相同)形成的下部电极和上部电极，因此PIP电容器的电极可以与栅电极一起形成，而无需单独的形成工艺。由于这种特点，在器件需要大电容的情况下，通常使用PIP电容器。 在PIP电容器中，有使用0N0 (氧化物_氮化物_氧化物)作为绝缘材料的结构以及使用氧化膜作为绝缘材料的结构。 图1示出了 0N0(氧化物-氮化物-氧化物)结构的相关技术的PIP电容器的截 面。如图1所示，ONO(氧化物-氮化物-氧化物)结构的PIP电容器设置有形成在衬底 110上的场氧化膜120上的下部多晶硅电极122 ;0N0膜132、134和136 ;以及上部多晶硅电 极140。在场氧化膜120上有与下部多晶硅电极122同时形成的多晶硅电阻器124，以及在 有源区处与上部多晶硅电极140同时形成的栅电极145。 PIP电容器具有由氮化物134的厚度确定的电容。如果氮化物134厚，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造ＰＩＰ电容器的方法，包括：在硅衬底上形成场氧化膜的步骤，其用来限定器件隔离区和有源区；在所述场氧化膜上形成其中掺杂有杂质的下部多晶硅电极的步骤；实施氧化步骤以在其中掺杂有所述杂质的所述下部多晶硅电极的顶部和侧壁上形成第一氧化膜并同时在所述硅衬底的所述有源区上生长第二氧化膜的栅极氧化步骤，；以及在所述第一氧化膜的区域上形成上部多晶硅电极并与此同时在所述第二氧化膜上形成栅电极的步骤。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锺昊，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]