一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法技术

本发明专利技术涉及半导体芯片领域，具体公开了一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法以及相关的制备方法；本发明专利技术采用大气环境Plasma涂敷，PECVD、CVD、ALD、喷墨打印、喷涂或丝印等镀膜设备，另外采用喷涂、喷墨打印或者丝印设备，针对Wafer或Die背面金属化结构进行特殊设计，通过附着金属层，提升热量从Wafer或Die传导至均热或者散热层的传导效率，同时该结构设计还能够有效解决金属层难以附着在Wafer或Die背面的问题，也能够避免出现潜在后继SMT或其他工序对金属层的影响，能够提升背面金属化(BSM)生产的效率，针对物品表面需要增加金属化层的场景，本发明专利技术所阐述的结构以及制造方法，也具有明显的适用性，例如印刷电路板以及柔性印刷电路板电磁噪声屏蔽或热传导等场景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体芯片，具体涉及一种针对wafer或die背面金属化的结构设计方法，类似地，对于元器件，印刷电路板或柔性印刷电路板表面金属化领域，本专利技术也适用。

技术介绍

1、随着flip-chip、2.5d、3d以及chiplet封装技术的大范围使用，wafer/die背面金属化(bsm)变得日趋重要。随着封装结构的复杂，wafer/die的散热需求日益增高，直接从wafer/die背面把热量传导至均热层或者散热层是最主要的开发方向之一。传统的bsm制备工艺是采用物理气相沉积(pvd)或金属蒸镀的方式，把金属层附着在wafer/die背面。然而，由于wafer/die材质为硅晶体或钝化后的二氧化硅晶体，表面能过低，大多数金属层无法有效附着在其表面，因此，传统的工艺为pvd或蒸镀一层钛作为种子层，进而通过同样的方式增加一层镍作为中间层，最后pvd或蒸镀或电镀一层导热金属层。依据每层热膨胀系数(cte)的不同，一般采用银、铜、金或铝作为导热/导电金属层，以避免wafer/die在经过上述高温工艺时发生翘曲(warpage)。其中，最常用的是物理气相沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法，其特征在于：所述附着力提升层(2)包括：

3.根据权利要求2所述的一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法，其特征在于：所述附着力提升层(2)使用涂料组合物中包含光聚合引发剂，所述光聚合引发剂包括二苯甲酮系、苯乙酮系、噻吨酮系和安息香系。

4.根据权利要求3所述的一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法，其特征在于：所述附着力提升层(2)使用涂料组合物中包含添加剂，所述添加剂包括热稳...

【技术特征摘要】

1.一种针对wafer或die背面金属化的结构设计方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种针对wafer或die背面金属化的结构设计方法，其特征在于：所述附着力提升层(2)包括：

3.根据权利要求2所述的一种针对wafer或die背面金属化的结构设计方法，其特征在于：所述附着力提升层(2)使用涂料组合物中包含光聚合引发剂，所述光聚合引发剂包括二苯甲酮系、苯乙酮系、噻吨酮系和安息香系。

4.根据权利要求3所述的一种针对wafer或die背面金属化的结构设计方法，其特征在于：所述附着力提升层(2)使用涂料组合物中包含添加剂，所述添加剂包括热稳定剂、自由基捕捉剂、增塑剂、表面活性剂、抗静电剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂和着色剂。

5.根据权利要求4所述的一种针对wafer或die背面金属化的结构设计方法，其特征在于：所述附着力提升层(2)厚度设置为1-50nm。

6.根据权利要求1所述的一种针对w...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄梓轩，
申请(专利权)人：黄梓轩，
类型：发明
国别省市：