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本发明涉及半导体芯片领域，具体公开了一种针对Wafer或Die背面金属化的结构设计方法以及相关的制备方法；本发明采用大气环境Plasma涂敷，PECVD、CVD、ALD、喷墨打印、喷涂或丝印等镀膜设备，另外采用喷涂、喷墨打印或者丝印设备，针...
该专利属于黄梓轩所有，仅供学习研究参考，未经过黄梓轩授权不得商用。

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