【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体防护电路建模分析领域，具体涉及一种电磁辐照下静电放电保护的cmos电路的效应分析方法。
技术介绍
1、随着微波天线以及脉冲功率技术的发展，高强度的电磁辐射能够通过芯片引脚耦合进入电路，影响设备内部的逻辑结构，对电子系统造成不可避免的干扰，高功率微波(high-power microwave，hpm)作为强电磁脉冲的一种方式，其峰值输出功率大于100mw，频率在300mhz～300ghz之间。现阶段微电子元器件已经向高密度、低功耗、小尺寸靠近，其是电子系统内部的基本单元模块同时也是较为薄弱的地方，但由于器件尺寸的不断缩小，集成电路的集成度也不断提高，导致微电子系统的敏感阈值也开始下降，它们极易受到高功率微波的干扰造成电子系统短暂或者永久性的物理损坏和功能退化。集成电路是由无数个元器件组成的，只有保证每一个元器件都正常工作系统才能正常运转，一旦器件受到高功率微波的干扰，轻则致使电路的整体性能失效，造成电子设备因芯片损坏而发生无法开机的情况，重则对电子信息系统、互联网以及军事指挥作战平台造成严重威胁。
2、一直...
【技术保护点】
1.一种电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法，其特征在于，所述ESD防护器件包括：
3.根据权利要求1所述的一种电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法，其特征在于，所述根据ESD防护器件的参数进行建模，得到所述ESD防护器件的几何结构模型，包括：
4.根据权利要求1所述的一种电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法，其特征在于，所述利用有限元计算法对所述等效物理模型的网格结构进行剖分，得到剖分后的等...
【技术特征摘要】
1.一种电磁辐照下静电放电保护的cmos电路的效应分析方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种电磁辐照下静电放电保护的cmos电路的效应分析方法，其特征在于，所述esd防护器件包括：
3.根据权利要求1所述的一种电磁辐照下静电放电保护的cmos电路的效应分析方法，其特征在于，所述根据esd防护器件的参数进行建模，得到所述esd防护器件的几何结构模型，包括：
4.根据权利要求1所述的一种电磁辐照下静电放电保护的cmos电路的效应分析方法，其特征在于，所述利用有限元计算法对所述等效物理模型的网格结构进行剖分，得到剖分后的等效物理模型，包括：
5.根据权利要求1所述的一种电磁辐照下静电放电保护的cmos电路的效应分析方法，其特征在于，所述电磁脉冲信号包括正弦脉冲信号。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴常春，毛心怡，赵天龙，李福星，徐乐，尚志远，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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