温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种电磁辐照下静电放电保护的CMOS电路的效应分析方法，包括：根据ESD防护器件的参数进行建模得到几何结构模型，建立等效物理模型；利用有限元计算法对等效物理模型的网格结构进行剖分，以使得剖分后的等效物理模型保持收敛；根据剖分后的...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。