【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、导电材料的沉积是许多半导体制造处理的组成部分。这些材料可用于水平互连、相邻金属层之间的通孔、金属层与设备之间的触点以及作为存储器设备中的线路。在沉积的一示例中，可以通过使用氟化钨(vi)(wf6)的化学气相沉积(cvd)工艺在氮化钛(tin)阻挡层上沉积钨(w)层以形成tin/w双层。然而，特征尺寸和膜厚度的持续减小给tin/w膜堆叠件带来了各种挑战。这些包括较薄钨膜的高电阻率和tin阻挡性能的退化。
2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分中描述的范围内以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、提供了用钼填充特征的方法。这些特征可以包括导电底部和电介质侧壁并且可以衬有保形衬垫层。在一些实施方案中，包括保形衬垫层的特征暴露于具有双重蚀刻和沉积能力的钼前体。钼选择性地沉积在特征的底部，且从特征的侧壁蚀刻保形层。在一些实施方案中，保...
【技术保护点】
1.一种填充特征的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原剂包括氢、联氨、氨、硅烷、二硅烷、二硼烷或其组合。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述保形衬垫层包括氮化钛、硅氮化钛、碳氮化钨或其组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属前体包括卤化钼、卤氧化钼或其组合。
5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述金属膜基底和从所述侧壁蚀刻所述保形衬垫层按顺序进行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述金属膜基底和从所述侧壁蚀刻所述保形衬垫层同时进行。
7.根据权...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种填充特征的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原剂包括氢、联氨、氨、硅烷、二硅烷、二硼烷或其组合。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述保形衬垫层包括氮化钛、硅氮化钛、碳氮化钨或其组合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属前体包括卤化钼、卤氧化钼或其组合。
5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述金属膜基底和从所述侧壁蚀刻所述保形衬垫层按顺序进行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述金属膜基底和从所述侧壁蚀刻所述保形衬垫层同时进行。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述卤化钼包括二氯化钼、三氯化钼、四氯化钼、五氯化钼、六氯化钼或氟化钼。
8.根据权利要求4所述的方法，其中所述卤氧化钼包括二氯二氧化钼、四氯氧化钼、四氟氧化钼或二溴二氧化钼。
9.根据权利要求1所述的方法，其中沉积期间所述衬底的温度为约350℃至约550℃。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积室中的压强为约10托至约50托。
11.根据权利要求1所述的方法，其中沉积包括用金属填充所述特征。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢耀宗，马修·伯特伦·爱德华·格里菲思，罗郑硕，照健·史蒂文·黎，大卫·约瑟夫·曼迪亚，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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