下载用于逻辑源极/漏极触点的低电阻钼沉积的技术资料

文档序号:43006949

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提供了一种用于填充半导体衬底经保形层加衬的特征的有效率方法,该方法利用金属前体以在特征的底部处选择性地沉积金属以及从特征侧壁蚀刻保形层衬垫。...
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