本发明专利技术提供一种显示装置，其具有在第一基板上的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在该栅极绝缘层上的半导体层、与该栅极线交叉并且在半导体层上包括源极电极和面对该源极电极的漏极电极的数据线、与该数据线分隔的连接辅件、覆盖该数据线并且包括暴露连接辅件和像素电极的钝化层，像素电极包括多个子像素电极，并且形成在钝化层上。子像素电极通过连接辅件彼此电连接，并且至少一个子像素电极电连接到漏极电极。连接辅件连接到相邻子像素电极的面对边缘，并且设置在距子像素电极左侧端部或者右侧端部的距离的约１／４处。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的示范性实施例涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是最广泛采用的平板显示器之一。LCD包括提供有场产生电极 例如像素电极和公共电极的两个面板以及插设在两个面板之间的液晶(LC)层。LCD通过给 场产生电极施加电压以在LC层中产生电场(这确定了 LC分子在LC层中的取向而调整入 射光的偏振)而显示图像。 在LCD中，垂直配向(VA)模式LCD因为其的高对比度和宽基准视角而备受关注， 在垂直配向(VA)模式LCD中，在不施加电场时LC分子被配向为LC分子的长轴垂直于面板。 VA模式LCD的宽视角可以通过场产生电极中的开口和场产生电极上的凸起实现。 因为开口和凸起可以决定LC分子的倾斜方向，所以通过采用开口和凸起倾斜方向可以在 几个方向上分布，由此拓宽基准视角。 然而，因为设置在场产生电极中连接辅件的角落中的LC分子不受边缘场(fringefield)的影响，所以它们会响应施加的驱动电压而排列在任意方向上。 当LC分子任意排列时，LC分子间的碰撞会发生在任意位置，这会引起不希望的残象。
技术实现思路
本专利技术的示范性实施例通过最大化LC分子受边缘场的影响且最小化由于碰撞引 起的残象，而提供具有改善的显示特性的液晶显示器。 本专利技术的其它特征将在下面的说明中阐述，并且将部分地从说明上明显易懂，或 者可以通过本专利技术的实践而知悉。 本专利技术的示范性实施例揭示了这样的显示装置，其具有第一基板；第二基板，面 对该第一基板；栅极线，设置在第一基板上；数据线，与栅极线交叉；薄膜晶体管，设置在为 靠近栅极线和数据线的交叉处，薄膜晶体管的栅极电极连接到栅极线、薄膜晶体管的源极 电极连接到数据线且薄膜晶体管的漏极电极连接到像素电极以给液晶层施加电压；钝化 层，设置在数据线上，钝化层包括在开口区域中暴露漏极电极的接触孔；像素电极，设置在 钝化层上且连接到漏极电极，该像素电极包括多个子像素电极和将子像素电极彼此连接的 连接辅件；多个开口，分别形成在子像素电极的中心位置上；以及透明存储电极，与像素电 极电荷耦合。 应当理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述二者都是示范性和说明性的， 并且旨在对如权利要求所述的本专利技术提供进一步的说明。附图说明 包括附图以提供对本专利技术进一步的理解，并且附图与说明书相结合且构成其一部分，附解了本专利技术的实施例，并且与说明书一起用于说明本专利技术的原理。 图1是根据本专利技术示范性实施例的LCD的示意图； 图2是沿着图1的I-I'线剖取的截面图； 图3A、图3B、图3C、图3D和图3E是根据本专利技术示范性实施例的LCD的示意图； 图4是图1所示根据本专利技术示范性实施例的LCD的公共电极面板的示意图； 图5是根据本专利技术示范性实施例的包括第一至第三子像素电极的LCD的示意图； 图6是沿着图5的II-II'线剖取的截面图； 图7是根据本专利技术示范性实施例的LCD的示意图； 图8是沿着图7的III-III'线剖取的截面图。具体实施例方式在下文，将参考示出本专利技术实施例的附图更加全面地描述本专利技术。然而，本专利技术可 以以各种形式实施，而不应解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该揭 示透彻，并且向本领域的技术人员全面交流本专利技术的范围。附图中，为了清楚起见，层和区 的尺寸和相对尺寸可以夸大。附图中相同的附图标记表示相同的元件。 应当理解的是，当元件或者层称为"在另一个元件或者层上"或者"连接到另一个元件或者层"时，它可以直接在另一个元件或者层上，或者可以直接连接到另一个元件或者层，或者可以存在插入的元件或者层。相反，当元件称为"直接在另一个元件或者层上"或者"直接连接到另一个元件或者层"时，则不存在插入元件或者层。 参考图1、图2、图3和图4，详细描述根据本专利技术的LCD的示范性实施例。 图1是根据本专利技术示范性实施例的LCD的示意图，图2是沿着图1的I-I'线剖取的截面图，图3A、图3B、图3C、图3D和图3E是根据本专利技术示范性实施例的LCD的示意图。图4是根据本专利技术示范性实施例的图1所示的LCD的公共电极面板的示意图。 LCD包括薄膜晶体管(TFT)阵列面板100、公共电极面板200和插设在面板100和200之间的LC层3。 现在，参考图1、图2、图3和图4描述TFT阵列面板100。 多个栅极线121和升压线(boost line) 131形成在绝缘基板110上，绝缘基板110 由诸如透明玻璃的材料制作。栅极线121基本上延伸在横向方向上，彼此分隔，并且传输栅 极信号。 在示范性实施例中，栅极线121和升压线131可以由诸如A1和A1合金的含A1金 属、诸如Ag和Ag合金的含Ag金属、诸如Cu和Cu合金的含Cu金属、诸如Mo和Mo合金的 含Mo金属、Cr、Ti或Ta制成。栅极线121和升压线131可以具有多层结构，该多层结构包 括具有不同物理特性的两个膜。在示范性实施例中，两个膜之一可以由低电阻率的金属制 作，该低电阻率的金属包括但不限于含A1金属、含Ag金属和含Cu金属，用于减少在栅极线 121和升压线131中的信号延迟或者电压降。另一个膜可以由诸如含Mo金属、Cr、Ta或Ti 的材料制作，该材料与诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的其它材料具有良好的 物理、化学和电接触特性。在一个示范性实施例中，两个膜的结合包括下Cr膜与上Al合金 膜以及下Al膜与上Mo膜。然而，栅极线121和升压线131可以由各种金属或导体制作，只 要适合于这里所述的目的。 栅极线121和升压线131的侧面(lateral side)相对于绝缘基板110的表面渐縮。栅极线121和升压线131相对于基板表面的倾斜角的范围为约30度至约80度。 栅极绝缘层140形成在栅极线121和升压线131上。在一个示范性实施例中，栅极绝缘层140可以由氮化硅(SiNx)制作。 多个半导体岛154形成在栅极绝缘层140上。如示范性实施例所示，每个半导体岛154都设置在栅极电极124上。在一个示范性实施例中，半导体岛154由氢化非晶硅(简写成"a-Si")或者多晶硅制作。 多个欧姆接触岛163和165形成在半导体岛154上。如示范性实施例所示，欧姆接触岛163和165的每一个都成对设置在半导体岛154上。在一个示范性实施例中，欧姆接触岛163和165由重掺杂诸如磷的n型杂质的硅化物或者n+氢化a_Si制作。 半导体岛154以及欧姆接触163和165的侧面相对于基板110的表面倾斜。其倾斜角度的范围在约30度至约80度之间。 在欧姆接触163和165及栅极绝缘层140上形成多个数据线171、与数据线171分隔的多个漏极电极175以及多个连接辅件178。 每个漏极电极175都与数据线171分隔，并且关于栅极电极124面对源极电极173。 TFT包括栅极电极124、源极电极173和漏极电极175以及半导体岛154。 TFT具有沟道，该沟道形成在半导体岛154的设置在源极电极173和漏极电极175之间的一部分中。 连接辅件178基本上平行于数据线171延伸，并且与数据线171分隔。 在一个示范性实施例中，数据线171、漏极电极175和连接辅件178由诸如Cr、Mo、Ti、Ta或其合金的难熔金属制作。数据线17本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括：第一基板；第二基板，面对所述第一基板；栅极线，设置在所述第一基板上；数据线，与所述栅极线交叉；薄膜晶体管，设置为靠近所述栅极线和所述数据线的交叉点；所述薄膜晶体管的栅极电极连接到所述栅极线、所述薄膜晶体管的源极电极连接到所述数据线并且所述薄膜晶体管的漏极电极连接到像素电极以给液晶层施加电压；钝化层，设置在所述数据线上，所述钝化层包括在开口区域中暴露所述漏极电极的接触孔；像素电极，设置在所述钝化层上，且连接到所述漏极电极，所述像素电极包括多个子像素电极和使所述子像素电极彼此连接的连接辅件；多个开口，分别形成在所述子像素电极的中心位置上；以及透明存储电极，与所述像素电极电荷耦合。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄载薰，张龙圭，金尚佑，申爱，沈昌佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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