一种用于刻蚀中载台的温度补偿方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于刻蚀中载台的温度补偿方法及装置；将载台分成若干的区域，在每一个区域内设置独立的冷却系统，加热系统以及温度监控系统，能够对载台每一处的温度进行控制；多区控温技术采用先进的加热元件和温度传感器，以及复杂的控制算法来实现；这些加热元件和传感器分布在晶圆的表面，可以实时监测和调节每个区域的温度；控制系统则根据预设的工艺参数和实时的温度反馈信息来动态调整加热功率，以保持每个区域的温度在所需范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于刻蚀领域，具体涉及一种用于刻蚀中载台的温度补偿装置及方法。

技术介绍

1、刻蚀，英文为etch，它是半导体制造工艺，微电子ic制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。

2、在刻蚀的过程中，需要将晶圆放置在载台上进行刻蚀，刻蚀的过程中能够对晶圆进行加热。在刻蚀的过程中，等离子体会轰击在晶圆的表面，使得晶圆表面的温度得到极大地提升。

3、现有的技术中，载台的内部通常埋设加热丝对晶圆进行加热，但是在刻蚀过程中，晶圆表面将会被等离子体轰击造成温度升高。过高的温度会影响刻蚀的效果，因此需要将温度稳定在合适的范围内。其中，晶圆表面的温度是不一致的，即每一处的温度均不一样，因此，如何对每一处的温度进行控制成为了提高刻蚀效果的重要因素。p>

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于刻蚀中载台的温度补偿装置的温度补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于刻蚀中载台的温度补偿装置的温度补偿方法，其特征在于，所述动态前馈补偿值Dn(s)通过MATLAB系统辨识工具箱识别扰动通道Gn(s)模型和控制器通道G(S)的数学模型，计算得到；MATLAB系统中，PID输出功率MV-5%MV=新输出MV值；

【技术特征摘要】

1.一种用于刻蚀中载台的温度补偿装置的温度补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于刻蚀中载台的温度补偿装置的温度补偿方法，其特征在于，所述动态...

【专利技术属性】
技术研发人员：张笑语，王兆丰，范雄，王世宽，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：