本发明专利技术适用于太阳能电池技术领域，提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底具有相对设置的背面和正面；P型掺杂多晶硅层，位于硅基底背面的第一区域；N型掺杂多晶硅层，位于硅基底背面的第二区域，且第一区域异于第二区域；P型掺杂内扩层，形成于硅基底内部并靠近P型掺杂多晶硅层设置；N型掺杂内扩层，形成于硅基底内部并靠近N型掺杂多晶硅层设置；其中，P型掺杂内扩层的深度大于N型掺杂内扩层的深度。本发明专利技术提供的背接触太阳能电池将P型掺杂内扩层的深度设置成大于N型掺杂内扩层的深度，增加P型掺杂内扩层的深度，可以提高背接触太阳能电池的发射极电流收集效率，从而提高电池效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，具体涉及一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统。
技术介绍
1、太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体pn结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能，而转化效率为太阳电池性能的重要指标。ibc(interdigitated back contact)太阳能电池，也即叉指型背接触电池，其正/负电极均设计于电池的背面，使得前表面彻底避免了金属栅线的遮挡，杜绝了金属栅线遮挡所带来的光学损失，同时电极宽度可设计的较现有更宽，降低了串联电阻损失，从而大幅提高电池转化效率。另外，由于电池正面无电极的设计下，产品外观更优美，适合于多种应用场景。
2、现有技术中，背接触太阳能电池的背面形成交错设置的p区和n区，通常地，p区的p型掺杂多晶硅层及n区的n型掺杂多晶硅层在制备时，p型掺杂多晶硅层会向硅片内部形成p型掺杂内扩层，n型掺杂多晶硅层会向硅片内部形成n型掺杂内扩层，而为了便于加工，p型掺杂内扩层与n型掺杂内扩层深度通常大致相等，这样会使得发射极电流收集效率低，从而影响电池效率。
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【技术保护点】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂内扩层的深度与所述N型掺杂内扩层的深度的比值为1～4，且不等于1。
3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂内扩层的深度与所述N型掺杂内扩层的深度的比值为1～2，且不等于1。
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂内扩层的深度为30～800nm；所述N型掺杂内扩层的深度为10～600nm。
5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂内扩层的宽度大于所述N...
【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂内扩层的深度与所述n型掺杂内扩层的深度的比值为1～4，且不等于1。
3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂内扩层的深度与所述n型掺杂内扩层的深度的比值为1～2，且不等于1。
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂内扩层的深度为30～800nm；所述n型掺杂内扩层的深度为10～600nm。
5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂内扩层的宽度大于所述n型掺杂内扩层的宽度。
6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂内扩层的宽度与所述n型掺杂内扩层的宽度的比值为1～2，且不等于1。
7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂内扩层的体积大于所述n型掺杂内扩层的体积。
8.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池...
【专利技术属性】
技术研发人员：王永谦，张生利，陈辉，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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