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本发明适用于太阳能电池技术领域,提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统,背接触太阳能电池包括:硅基底,硅基底具有相对设置的背面和正面;P型掺杂多晶硅层,位于硅基底背面的第一区域;N型掺杂多晶硅层,位于硅基底背面的第二区域,且第一区域异...该专利属于珠海富山爱旭太阳能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海富山爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。
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本发明适用于太阳能电池技术领域,提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统,背接触太阳能电池包括:硅基底,硅基底具有相对设置的背面和正面;P型掺杂多晶硅层,位于硅基底背面的第一区域;N型掺杂多晶硅层,位于硅基底背面的第二区域,且第一区域异...