【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池,特别是涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件。
技术介绍
1、随着光伏技术的快速发展,晶体硅太阳能电池的转换效率逐年提高。目前topcon电池凭借效率高、工业工艺制程成熟度较好等诸多优点脱颖而出,行业内许多厂家开始加大对于topcon电池的研发进度。相关技术中,topcon电池背面采用纳米氧化硅层/掺杂多晶硅层/氮化硅层的层叠结构,最后在氮化硅层上印刷金属浆料。而topcon电池背面的掺杂多晶硅层作为topcon电池的核心部分,越来越有薄层化的趋势。这是由于通过降低掺杂多晶硅层的厚度能够提高太阳能电池的产能、减少光学寄生吸收。但当掺杂多晶硅层厚度较薄时,金属浆料中的玻璃粉更容易腐蚀烧穿掺杂多晶硅层进而对隧穿氧化层造成损伤,严重破坏电池的背面钝化效果,造成太阳能电池背面的复合损失较大,影响太阳能电池的效率。
技术实现思路
1、基于此,有必要提供一种能够减少太阳能电池表面复合损失、效率较高的太阳能电池及其制作方法、光伏组件。
2、本申请实施例第一方面提供
...【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述第一阶段中的激光扫描功率P1满足:30W≤P1<60W,反向偏置电压V1满足:5V≤V1<10V。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述第二阶段中的激光扫描功率P2满足:60W≤P2≤100W,反向偏置电压V2满足:10V≤V2≤20V。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述第一阶段的持续时长是0.8s-1.2s,所述第二阶段的持续时长是0.8s-1.2s。
...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述第一阶段中的激光扫描功率p1满足:30w≤p1<60w,反向偏置电压v1满足:5v≤v1<10v。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述第二阶段中的激光扫描功率p2满足:60w≤p2≤100w,反向偏置电压v2满足:10v≤v2≤20v。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述第一阶段的持续时长是0.8s-1.2s,所述第二阶段的持续时长是0.8s-1.2s。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述通过所述第一预固化电极和所述第二预固化电极向所述电池主体施加反向偏置电压的步骤包括:
6.根据权利要求1-5中任一项所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述提供一电池主体的步骤具体包括:
7.根据权利要求1-5中任一项所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述对所述电池主体进行预烧结的步骤中,对所述电池主体的第一侧的表面进行烧结的第一峰值温度t1满足:700℃≤t1≤7...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈达明,
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。