一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法、太阳能电池及应用技术

本发明专利技术公开了一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法、太阳能电池及应用，涉及太阳能电池技术领域，包括以下步骤：对原硅片进行制绒、硼沉积、激光SE、硼推进、背刻处理，得到具有PN结的电池片半成品一；对电池片半成品一进行低压化学气相沉积处理，得到电池片半成品二；双层多晶硅的厚度为120nm～140nm，且第一层多晶硅的厚度：第二层多晶硅的厚度＞1:1；对电池片半成品二背面进行磷扩散，得到电池片半成品三；对电池片半成品三进行正刻、Al2O3钝化、镀膜、金属化处理，得到双层多晶硅太阳能电池片。通过两步沉积法构筑晶粒尺寸、厚度不一致的双层多晶硅，抑制电极金属离子穿过隧穿氧化层，从而提升光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，具体涉及一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法、太阳能电池及应用。

技术介绍

1、隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(tunnel oxide passivated contact solarcell,topcon)是2013年在第28届欧洲pvsec光伏大会上德国fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层1～2nm的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的界面钝化。

2、目前的topcon太阳能电池利用lpcvd(低压气相沉积，是在27～270pa的反应压力下进行的化学气相沉积，具有膜的质量和均匀性好、产量高、成本低、易于实现自动化的优点)工艺在硅片背面沉积隧穿氧化层和多晶硅，隧穿氧化层利用量子隧穿效应，既能让电子顺利通过，又可以阻止空穴的复合，与掺杂多晶硅共同形成背面钝化接触效应。

3、专利cn104733564a公开了一种多晶硅太阳能电池及其制作方法，该方法包括：对多晶硅基体进行酸溶液清洗；清洗完成后，对多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤2的具体处理方法为：

3.根据权利要求2所述的一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的氧化硅隧穿氧化层的厚度为1.5nm～2.1nm。

4.根据权利要求2所述的一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的温度控制在600℃～620℃。

5.根据权利要求2所述的一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的沉积时间控制在700s～100...

【技术特征摘要】

1.一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤2的具体处理方法为：

3.根据权利要求2所述的一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的氧化硅隧穿氧化层的厚度为1.5nm～2.1nm。

4.根据权利要求2所述的一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的温度控制在600℃～620℃。

5.根据权利要求2所述的一种双层多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的沉积时间控制在700s～1000s。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：周珊合，刘大伟，何振雄，吴秋宏，
申请(专利权)人：绵阳炘皓新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：