背接触电池和光伏组件制造技术

技术编号:46614196 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-14 21:11
本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种背接触电池和光伏组件。本申请实施例的背接触电池,包括半导体基底,半导体基底具有相对设置的正面和背面,正面和背面之间围绕有侧面;背面交替分布有发射极和基极接触区,发射极和基极接触区之间设有隔离区,发射极上设有正极,基极接触区上设有负极;半导体基底的正面设有钝化层,钝化层远离半导体基底的一侧设有第一透明导电氧化物层,第一透明导电氧化物层与至少一个发射极之间为电连接。本申请实施例的背接触电池具有良好的抗PID性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池,尤其涉及一种背接触电池和光伏组件


技术介绍

1、背接触(back contact, bc)电池技术凭借其独特的结构优势,能够高效融合多种现有主流电池技术,形成一系列具备更高转换效率的电池产品。例如:bc技术与钝化发射极和背面电池(passivated emitter and rear cell, perc)技术结合,形成全背接触电池(all back contact, abc)。bc技术与隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivatedcontact, topcon)技术结合,形成topcon背接触电池(topcon back contact, tbc)。bc技术与异质结(heterojunction with intrinsic thin-layer, hjt)技术结合,形成异质结背接触电池(heterojunction back contact, hbc)。此外,基于bc平台的其他高效变体统称为xbc电池。bc技术不仅在与上述单结技术的融合中表现出色,在叠层电池(如钙钛矿/硅叠层)中也展现出显著的结构兼容性优势本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池,其特征在于,包括半导体基底,所述半导体基底具有相对设置的正面和背面,所述正面和所述背面之间围绕有侧面;

2.根据权利要求1所述背接触电池,其特征在于,所述钝化层和所述第一透明导电氧化物层通过至少一个所述侧面后延伸至所述背面,延伸至所述背面的所述第一透明导电氧化物层与至少一个所述发射极相接触。

3.根据权利要求1所述背接触电池,其特征在于,至少一个所述发射极和所述正极之间设有导电材料;

4.根据权利要求3所述背接触电池,其特征在于,所述导电材料包括导线和导电层;

5.根据权利要求1所述的背接触电池,其特征在于,所述第一透明...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池,其特征在于,包括半导体基底,所述半导体基底具有相对设置的正面和背面,所述正面和所述背面之间围绕有侧面;

2.根据权利要求1所述背接触电池,其特征在于,所述钝化层和所述第一透明导电氧化物层通过至少一个所述侧面后延伸至所述背面,延伸至所述背面的所述第一透明导电氧化物层与至少一个所述发射极相接触。

3.根据权利要求1所述背接触电池,其特征在于,至少一个所述发射极和所述正极之间设有导电材料;

4.根据权利要求3所述背接触电池,其特征在于,所述导电材料包括导线和导电层;

5.根据权利要求1所述的背接触电池,其特征在于,所述第一透明导电氧化物层包括掺铝氧化锌、氟掺...

【专利技术属性】
技术研发人员:孟子博曾庆国连波司瑞凡江扬杨广涛
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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