【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件的热设计方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、目前在半导体器件的设计中，主要采用电子设计自动化（electronic designautomation，eda）技术完成器件设计。eda是指利用计算机辅助设计（cad）软件，来完成超大规模集成电路（vlsi）芯片的功能设计、综合、验证、物理设计（包括布局、布线、版图、设计规则检查等）等流程的设计方式。eda能够大幅减少研发人员工作量，极大提升集成电路设计效率，缩短周期并且节约成本。
2、但半导体器件在使用过程中会产生热量，随着芯片尺寸的逐渐减小以及功率密度的逐渐提高，散热问题已经成为制约其进一步发展的瓶颈问题。例如氮化镓（gan）高电子迁移率晶体管（hemts）是一种代表性的宽禁带半导体器件。对于氮化镓功率放大器的输出功率比其理论最高功率低了一个量级，结温过高还会导致其电学性能和可靠性的显著下降。eda的设计主要从电学角度进行考虑，未能着手从半导体器件的散热角度去考虑，难以完成对器件的优良设计。
技术...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的热设计方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，基于所述待定结构信息、第一热仿真参数、第一限制条件、第二热仿真参数和第二限制条件，对所述待设计器件进行热仿真模拟，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，所述近结区域的第一热仿真参数包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，所述近结区域的第一限制条件包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，所述宏观区域的第二热仿真参数包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的热设计方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，基于所述待定结构信息、第一热仿真参数、第一限制条件、第二热仿真参数和第二限制条件，对所述待设计器件进行热仿真模拟，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，所述近结区域的第一热仿真参数包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，所述近结区域的第一限制条件包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，所述宏观区域的第二热仿真参数包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，所述宏观区域的第二限制条件，包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，所述近结区域和所述宏观区域之间的交界处的温度信息满足预设条件时，得到所述待设计器件的热阻值，包括：
8.根据权利要求2所述的半导体器件的热设计方法，其特征在于，在所述近结区域上进行微纳尺度上的传热模拟和声...
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