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本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体器件的热设计方法、装置、设备及介质，该方法包括：基于器件的待定结构信息得到器件的模型；划分出待设计器件的模型中的近结区域和宏观区域；配置近结区域和宏观区域各自的热仿真参数和限制条件；基于器件的待定...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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