包括堆叠晶体管的集成电路器件及其形成方法技术

本发明专利技术公开了集成电路器件及其形成方法，该集成电路器件可以包括电源开关单元，该电源开关单元包括在衬底上的上晶体管和位于衬底与上晶体管之间的下晶体管。上晶体管可以包括上沟道区、第一上源极/漏极区和第二上源极/漏极区、以及位于上沟道区上的上栅极电极。下晶体管可以包括下沟道区、第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区以及位于下沟道区上的下栅极电极。第一上源极/漏极区和第二下源极/漏极区可以具有相同的导电类型，第一上源极/漏极区和第一下源极/漏极区可以彼此电连接，第二上源极/漏极区和第二下源极/漏极区可以彼此电连接，并且上栅极电极和下栅极电极可以彼此电连接。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般地涉及集成电路器件领域，更具体地，涉及包括堆叠晶体管的三维集成电路器件。

技术介绍

1、已经提出了各种结构的集成电路器件及其形成方法，以增加其集成密度以及简化器件制造的中道工序(mol)部分和/或后道工序(beol)部分。例如，已经提出了堆叠晶体管结构和背面配电网络结构(bspdns)。

技术实现思路

1、根据一些实施方式的集成电路器件可以包括电源开关单元，该电源开关单元包括：在衬底上的上晶体管以及位于衬底与上晶体管之间的下晶体管。上晶体管包括上沟道区、分别位于上沟道区的相反侧的第一上源极/漏极区和第二上源极/漏极区、以及位于上沟道区上的上栅极电极。下晶体管包括下沟道区、分别位于下沟道区的相反侧上的第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区、以及位于下沟道区上的下栅极电极。第一上源极/漏极区和第二上源极/漏极区以及第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区可以具有相同的导电类型，第一上源极/漏极区和第一下源极/漏极区可以彼此电连接，第二上源极/漏极区和第二下源极/漏极区可以彼此电连接，上栅极电极和下栅极电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路器件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述上沟道区和所述下沟道区在垂直方向上彼此间隔开并且在所述垂直方向上彼此重叠。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括接触所述第一上源极/漏极区和所述第一下源极/漏极区两者的第一导电接触。

4.根据权利要求3所述的集成电路器件，进一步包括位于所述衬底中的第一电源线，

5.根据权利要求4所述的集成电路器件，进一步包括逻辑电路块，

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括接触所述第二上源极/漏极区和所述第二下源极/漏极区两者的第二导电接触。<...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路器件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述上沟道区和所述下沟道区在垂直方向上彼此间隔开并且在所述垂直方向上彼此重叠。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括接触所述第一上源极/漏极区和所述第一下源极/漏极区两者的第一导电接触。

4.根据权利要求3所述的集成电路器件，进一步包括位于所述衬底中的第一电源线，

5.根据权利要求4所述的集成电路器件，进一步包括逻辑电路块，

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括接触所述第二上源极/漏极区和所述第二下源极/漏极区两者的第二导电接触。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，进一步包括第一下布线，

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述下栅极电极是公共栅极电极的第一部分，并且所述上栅极电极是所述公共栅极电极的第二部分。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，进一步包括第二下布线，

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一下源极/漏极区和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金珍泰，朴金锡，徐康一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：