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本发明公开了集成电路器件及其形成方法，该集成电路器件可以包括电源开关单元，该电源开关单元包括在衬底上的上晶体管和位于衬底与上晶体管之间的下晶体管。上晶体管可以包括上沟道区、第一上源极/漏极区和第二上源极/漏极区、以及位于上沟道区上的上栅极电...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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