透明导电性薄膜制造技术

一种透明导电性薄膜。本发明专利技术的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(H)依次具备透明基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)具有100nm以上的厚度。透明导电层(20)从透明基材(10)侧起依次具有非晶质层(21)和结晶质层(22)。非晶质层(21)具有30nm以上的厚度。结晶质层(22)的厚度相对于透明导电层(20)的厚度的比例为15％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及透明导电性薄膜。

技术介绍

1、以往，沿着厚度方向依次具备树脂制透明基材和透明的导电层(透明导电层)的透明导电性薄膜是已知的。透明导电层被用作例如用于形成显示器面板、触摸面板和太阳能电池等各种设备中的透明电极的导体膜。透明导电层通过例如利用溅射法在透明基材上将导电性氧化物进行成膜而以结晶质或非晶质的导电性氧化物层的形式形成。关于涉及这种透明导电性薄膜的技术，例如在下述专利文献1中有所记载。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-157021号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、对于透明导电性薄膜的透明导电层要求低电阻。尤其是，对于透明电极用途的透明导电性薄膜而言，该要求严格。从低电阻性的观点出发，相较于透明导电层为非晶质而言，透明导电层为结晶质时更好。另一方面，对于透明导电性薄膜的透明导电层也要求透明性高。从透明性的观点出发，相较于透明导电层为结晶质而言，透明导电层为非晶质时更好。透明导电层的低电阻性与透明本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明基材和透明导电层，

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述比例为70％以下。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层为铟锡复合氧化物层。

4.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其中，所述非晶质层的氧化锡比例高于所述结晶质层的氧化锡比例。

【技术特征摘要】

1.一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明基材和透明导电层，

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述比例为70％以下。

3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：田边凌祐，竹安智宏，藤野望，鸦田泰介，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：