一种半导体封装制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装，包括基板、布置在所述基板上的半导体元件、覆盖所述半导体元件的保护层以及布置在所述保护层上的EMI屏蔽薄膜；所述EMI屏蔽薄膜依次包括胶粘层、屏蔽层和聚合物绝缘层；所述屏蔽层是由在基体树脂中浸渍有碳纤维无纺布的碳纤维增强塑料所制成。本发明专利技术提供的半导体封装，不仅具有良好的电磁波屏蔽效果，同时具有在切割过程中抑制毛刺产生的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装，尤其涉及一种半导体封装。

技术介绍

1、随着电子装置的小型化和轻量化，电子装置内的电子元器件，例如半导体封装的集成度正在增加。防止电子元器件之间的电磁干扰(emi：electromagnetic interference)的必要性正在增加，因此电子元器件中的电磁波屏蔽技术应运而生。

2、众所周知，作为切断从半导体封装内部产生的电磁波或从外部侵入的电磁波的技术，半导体封装上覆盖有电磁波屏蔽膜，电磁波屏蔽膜通常具备金属薄膜等电磁波屏蔽层和包含导电粒子的导电粘合剂层。

3、然而，对于以往的半导体封装来说，由于电磁波屏蔽薄膜的延展性，导致在模切时电磁波屏蔽薄膜的切割面出现毛刺(burr)，从而导致后续工程无法进行，电磁波屏蔽效率降低或切割片(dicing blade)的耐久性出现恶化等问题。

4、为了解决这个问题，专利文献1中通过在电磁波屏蔽薄膜的侧面形成落差，来防止电磁波屏蔽薄膜的模切面发生毛刺。

5、但是，如专利文献1所示，当电磁波屏蔽薄膜的侧面形成落差时，其缺点是在形成落差的半导体封装的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括基板、布置在所述基板上的半导体元件、覆盖所述半导体元件的保护层以及布置在所述保护层上的EMI屏蔽薄膜；

2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述碳纤维增强塑料中所述碳纤维无纺布的体积占比为20～40％。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述碳纤维无纺布中碳纤维的长度为3～70mm。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为10～200μm。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述屏蔽层表面的平面度：每50mm为0.005～0.05mm。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体封装，其特征在于，包括基板、布置在所述基板上的半导体元件、覆盖所述半导体元件的保护层以及布置在所述保护层上的emi屏蔽薄膜；

2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述碳纤维增强塑料中所述碳纤维无纺布的体积占比为20～40％。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述碳纤维无纺布中碳纤维的长度为3～70mm。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为10～200μm。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述屏蔽层表面的平面度：每50mm为0.005～0.05mm。

6.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述胶粘层中所含球形导电性颗粒及树枝状导电性颗粒的重量份比为1：10.5-1：14.5。

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【专利技术属性】
技术研发人员：李龙云，
申请(专利权)人：上海优梯熙光学材料有限公司，
类型：发明
国别省市：