晶圆接合的补偿方法技术

本公开提供了一种晶圆接合的补偿方法，包括接合第一晶圆和一第二晶圆，该第一晶圆包括第一导电垫片和第二导电垫片；执行第一覆盖检查；确认第一覆盖检查的结果是否合乎第一预定标准；若第一覆盖检查的结果不合乎第一预定标准，执行第一补偿方法以形成补偿的第一晶圆和补偿的第二晶圆，其中补偿的第一晶圆的第一导电垫片的位置不同于第一晶圆的第一导电垫片的位置，且补偿的第一晶圆的第二导电垫片的位置不同于第一晶圆的第二导电垫片的位置。

【技术实现步骤摘要】

本公开是关于一种晶圆接合的补偿方法。

技术介绍

1、随着半导体工业的发展，晶圆级封装(wafer level packaging；wlp)工艺不断的进步。为了增加元件密度，三维集成电路(3dics)亦随之发展，其中两个芯片(或集成电路)被接合在一起并产生电连接。然而，此等新形态的接合技术将会面临工艺上的挑战，例如晶圆翘曲(warpage)，且可能导致工艺上的覆盖误差(overlay error)。因此，需要一种补偿方法来解决上述问题。

技术实现思路

1、本公开的部分实施例提供一种晶圆接合的补偿方法，包括接合第一晶圆和一第二晶圆，其中第一晶圆具有第一导电垫片和第二导电垫片，第二晶圆具有第三导电垫片和第四导电垫片；对第一晶圆和第二晶圆执行第一覆盖检查，第一覆盖检查包括确认第一导电垫片是否接触第三导电垫片，以及确认第二导电垫片是否接触第四导电垫片；确认第一覆盖检查的结果是否合乎第一预定标准；若第一覆盖检查的结果不合乎第一预定标准，执行第一补偿方法以形成补偿的第一晶圆和补偿的第二晶圆，第一补偿方法包括定义补偿的第一晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆接合的补偿方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中该第一覆盖检查的结果不合乎该第一预定标准包括该第一晶圆的该第一导电垫片和该第二晶圆的该第三导电垫片的一接触面积小于一第一预定值或该第一晶圆的该第二导电垫片和该第二晶圆的该第四导电垫片的一接触面积小于一第二预定值。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，还包括在接合该补偿的第一晶圆和该补偿的第二晶圆之前，执行一第三覆盖检查，该第三覆盖检查包括确认该补偿的第一晶圆的该第一导电垫片是否接触对应的一第一导电贯孔，以及确认该补偿的第一晶圆的该第二导电垫片是否接触...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆接合的补偿方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中该第一覆盖检查的结果不合乎该第一预定标准包括该第一晶圆的该第一导电垫片和该第二晶圆的该第三导电垫片的一接触面积小于一第一预定值或该第一晶圆的该第二导电垫片和该第二晶圆的该第四导电垫片的一接触面积小于一第二预定值。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，还包括在接合该补偿的第一晶圆和该补偿的第二晶圆之前，执行一第三覆盖检查，该第三覆盖检查包括确认该补偿的第一晶圆的该第一导电垫片是否接触对应的一第一导电贯孔，以及确认该补偿的第一晶圆的该第二导电垫片是否接触对应的一第二导电贯孔。

5.根据权利要求3所述的方法，其中该第一补偿方法是通过一光刻工具执行，该第二补偿方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨添助，杨金成，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：