一种半导体封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装结构，包括基板，包含装置在所述基板上的半导体元件，覆盖所述半导体元件的保护层，以及配置在所述保护层上的EMI屏蔽薄膜；所述的EMI屏蔽薄膜依次包含胶粘层、金属层和聚合物绝缘层，所述的聚合物绝缘层包含粘合剂树脂、铝矾土、陶瓷‑涂层铝矾土和二氧化硅，当所述的铝矾土、陶瓷‑涂层铝矾土和二氧化硅的累积体积百分比达到50％时，所对应粒径的值分别为D<subgt;1</subgt;50、D<subgt;2</subgt;50和D<subgt;3</subgt;50，且满足2D<subgt;3</subgt;50≤D<subgt;1</subgt;50≤D<subgt;2</subgt;50。本发明专利技术提供的半导体封装结构，既具有良好导热性能，又具有较高可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装结构，尤其涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

1、随着电子装置的小型化和轻量化，电子装置内的电子元器件，例如半导体封装的集成度正在增加。因此，防止电子元器件之间的电磁干扰(emi；electromagneticinferference)的必要性正在增加，电子元器件中的电磁波屏蔽技术应运而生。

2、众所周知，作为切断从半导体封装内部产生的电磁波或从外部侵入的电磁波的技术，半导体封装上覆盖有电磁波屏蔽膜，电磁波屏蔽膜通常具备金属薄膜等电磁波屏蔽层和包含导电粒子的导电粘合剂层。

3、此外，在半导体封装中，环氧树脂成型复合物(epoxy molding compound；emc)通常以覆盖半导体元件的形态配置。但是，环氧树脂模制化合物的热传导度低，导致半导体元件产生的热量很难向外释放。

4、为了解决这一问题，现有技术通过在环氧树脂成型化合物和电磁波屏蔽膜之间单独形成散热层，将半导体元件产生的热量散发到外部。但是，上述的技术方案，当散热作为单独层时，半导体封装的整体厚度变厚，不仅与电子装置的小型化趋势背道而驰本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包含基板、配置在所述基板上的半导体元件、覆盖所述半导体元件的保护层、配置在所述保护层上的EMI屏蔽薄膜，

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物绝缘层的厚度为t，所述铝矾土及陶瓷-涂层铝矾土的累积体积百分比达到90％时，对应粒径的值分别为D190和D290，所述D190和D290的大小为t/8到t/2。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述陶瓷-涂层铝矾土为碳化硅、氮化硼、氮化铝和氮化硅、氧化硅、氧化镓、氧化铍、氧化铟、氧化锡、氧化铍、氧化镁和氧化铅中的一种及一种以上。

4.如...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包含基板、配置在所述基板上的半导体元件、覆盖所述半导体元件的保护层、配置在所述保护层上的emi屏蔽薄膜，

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物绝缘层的厚度为t，所述铝矾土及陶瓷-涂层铝矾土的累积体积百分比达到90％时，对应粒径的值分别为d190和d290，所述d190和d290的大小为t/8到t/2。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述陶瓷-涂层铝矾土为碳化硅、氮化硼、氮化铝和氮化硅、氧化硅、氧化镓、氧化铍、氧化铟、氧化锡、氧化铍、氧化镁和氧化铅中的一种及一种以上。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物绝缘层中粘合剂树脂和陶瓷-涂层铝矾土的重量份数比为100：50～80。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述聚合物绝缘层中铝矾土和陶瓷-涂层铝矾土的重量份比为1：1至4：1。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙云，
申请(专利权)人：上海优梯熙光学材料有限公司，
类型：发明
国别省市：