用于改善膜接缝质量和WER的高压惰性氧化和原位退火处理制造技术

利用电介质材料填充间隙的方法，其包括在沉积期间使用抑制等离子体。该抑制等离子体提高已沉积膜的成核屏障。该抑制等离子体在特征的顶部附近选择性地产生相互作用，以相比于特征的底部而抑制特征的顶部处的沉积，强化自下而上的填充。处理室可以具有多个压强开关，从而能够在沉积过后利用比沉积期间更高的压强进行处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、许多半导体设备处理涉及膜形成，该膜包括例如硅氧化物或硅氮化物的含硅膜。等离子体增强原子层沉积(ald)可用于沉积含硅膜。在间隙中沉积膜时，沉积高质量的膜可能尤其具挑战性。挑战可能包括在膜中形成空隙和/或接缝。

2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分中描述的范围内以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路

1、本文公开膜沉积方法及系统。在本文中的实施方案的一个方面中提供了一种方法，其包括：在处理室中提供衬底，所述衬底的结构具有间隙；以及执行下列步骤的第一组一或更多循环：(a)将所述衬底暴露于包含抑制性气体的等离子体，以抑制所述间隙的一部分上的沉积；以及(b)在(a)后，在所述间隙中沉积电介质材料；以及在执行所述第一组一或更多循环后，在所述间隙中沉积额外电介质材料，其中所述处理室在(a)和(b)期间的压强至少为8torr。

2、在一些实施方案中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室在(a)和(b)期间的所述压强介于约8Torr与约30Torr之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室在(a)和(b)期间的所述压强介于约8Torr与约100Torr之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室在(b)期间的所述压强与所述处理室在(a)期间的所述压强不同。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室在(b)期间的所述压强与所述处理室在(a)期间的所述压强相同。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在(b)期间沉积电介质材料是利...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室在(a)和(b)期间的所述压强介于约8torr与约30torr之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室在(a)和(b)期间的所述压强介于约8torr与约100torr之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室在(b)期间的所述压强与所述处理室在(a)期间的所述压强不同。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室在(b)期间的所述压强与所述处理室在(a)期间的所述压强相同。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在(b)期间沉积电介质材料是利用原子层沉积(ald)处理来执行。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述ald处理是等离子体增强ald处理。

8.根据权利要求1所述的方法，其还包括，在(a)之前，利用ald处理在所述间隙中沉积保形衬垫膜。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述抑制性气体是含卤素气体。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述抑制性气体是含氮气体。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述处理室在(a)和(b)期间的温度介于约200℃与约800℃之间。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述等离子体具有每一衬底介于约250w与约1500w之间的高频成分功率。

13.根据权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊莱·钱，道格拉斯·沃尔特·阿格纽，希瓦·沙兰·班达里，伊恩·约翰·科廷，约瑟夫·R·阿贝尔，詹森·亚历山大·瓦内尔，科迪·巴奈特，克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨，达斯汀·扎卡里·奥斯丁，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：