【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序。
技术介绍
1、存在在基板上施行成膜的基板处理装置。例如，国际专利申请wo2020-01695号。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际专利申请wo2020-01695号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、但是，这种基板处理装置会有在处理容器内的部件上生成非意图的成膜的情况。
3、本公开提供一种能够抑制对处理容器内的部件的成膜的结构。
4、用于解决课题的手段
5、根据本公开的一方式，提供一种技术，具有：处理容器，其具有处理基板的第1区域、未配置上述基板的第2区域；第1供给部，其向上述处理容器的上述第1区域供给处理气体；第2供给部，其向上述处理容器的上述第2区域供给吸附阻碍气体；第1供给系统，其向上述第1供给部供给上述处理气体；第2供给系统，其向上述第2供给部供给上述吸附阻碍气体；以及控制部，其控制上述第1供给系统...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：松井俊，横川贵史，小川有人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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