【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及显示装置和技术，且更明确地说，涉及微型器件的静电放电保护系统。
技术介绍
1、显示技术在当今的商用电子设备中变得越来越重要。这些显示面板广泛用于固定的大屏幕，诸如液晶电视(lcdtv)和有机发光二极管电视(oledtv)，以及便携式电子设备，诸如膝上型个人计算机、智能电话、平板电脑和可穿戴电子设备。
2、静电放电(esd)是电子部件可靠性的最普遍的威胁之一。当有限量的电荷从一个物体转移到另一个物体，诸如从人体转移到微型器件时，发生esd相关事件。该过程将导致非常高的电流在非常短的时间段内通过微型器件。事实上，超过35％的芯片损坏可归因于esd相关事件。esd引起的常见故障是接触损坏、电流泄漏、短路、栅极氧化物破裂和烧毁等。esd故障是不可预测的或在其发生之后不易诊断的。
3、另外，设计芯片上esd结构以保护集成电路免受esd应力是半导体工业中的高优先级任务。金属氧化物半导体和其它处理技术的持续进步使得esd引起的故障甚至更加突出。实际上，世界范围内的许多半导体公司在满足各种电子应用的日益严格的...
【技术保护点】
1.一种微型器件的静电放电(ESD)保护系统，包括：
2.根据权利要求1所述的微型器件的ESD保护系统，其中所述微型LED像素的阴极连接到所述第二电平电压(Vcom)。
3.根据权利要求2所述的微型器件的ESD保护系统，其中，所述第一ESD保护单元连接到第四电平电压(Vss)和所述第二电平电压(Vcom)。
4.根据权利要求3所述的微型器件的ESD保护系统，其中所述第四电平电压(Vss)大于所述第二电平电压(Vcom)并且所述第一电平电压(Vdd)大于所述第四电平电压(Vss)。
5.根据权利要求4所述的微型器件的ESD...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种微型器件的静电放电(esd)保护系统，包括：
2.根据权利要求1所述的微型器件的esd保护系统，其中所述微型led像素的阴极连接到所述第二电平电压(vcom)。
3.根据权利要求2所述的微型器件的esd保护系统，其中，所述第一esd保护单元连接到第四电平电压(vss)和所述第二电平电压(vcom)。
4.根据权利要求3所述的微型器件的esd保护系统，其中所述第四电平电压(vss)大于所述第二电平电压(vcom)并且所述第一电平电压(vdd)大于所述第四电平电压(vss)。
5.根据权利要求4所述的微型器件的esd保护系统，其中所述第一电平电压(vdd)为正电压，所述第四电平电压(vss)为零，并且所述第二电平电压(vcom)是负电压。
6.根据权利要求1所述的微型器件的esd保护系统，其中，所述第一esd保护单元包括电源esd箝位电路。
7.根据权利要求3所述的微型器件的esd保护系统，其中所述第一esd保护单元包括mos晶体管；所述第一esd保护单元的栅极连接到所述第一esd保护单元的源极和所述第二电平电压(vcom)；所述第一esd保护单元的漏极连接到所述第一电平电压(vdd)；并且，所述第一esd保护单元在所述mos晶体管上具有寄生。
8.根据权利要求7所述的微型器件的esd保护系统，其中所述mos晶体管是nmos。
9.根据权利要求3所述的微型器件的esd保护系统，其中所述第一esd保护单元包括：
10.根据权利要求9所述的微型器件的esd保护系统，其中所述第一类型是p型，所述第二类型是n型，所述第一注入区是第一p+注入区，并且所述第二注入区是第二p+注入区。
11.根据权利要求9所述的微型器件的esd保护系统，其中所述第二类型阱和所述第二类型漏极连接到所述第一电平电压(vdd)，所述第二注入区连接到所述第四电平电压(vss)，且所述第一注入区、所述第二类型源极和所述栅极连接到所述第二电平电压(vcom)。
12.根据权利要求1所述的微型器件的esd保护系统，其中所述至少一个微型led像素是微型led像素阵列，并且所述像素驱动器电路控制所述微型led像素阵列中的每个所述微型led像素的开启或关闭。
13.根据权利要求11所述的微型器件的esd保护系统，其中所述第一esd保护单元连接到每个所述微型led像素。
14.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李春明，刘洪云，琚晶，李起鸣，
申请(专利权)人：上海显耀显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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