一种存储器结构制造技术

本发明专利技术提供的一种存储器结构，包括存储器阵列以及逻辑层，所述存储器阵列设置在逻辑层的一端或两端，所述存储器阵列与逻辑层之间通过TSV通道进行连接通信，所述存储器结构还包括TSV通道冗余结构，所述冗余结构包括冗余通道，所述冗余通道位于所述TSV通道的一侧；TSV通道设置有修复电路，所述修复电路基于所述TSV通道发生错误的位置，建立信号发送端或信号接收端与未发生错误的TSV通道以及冗余通道的连接通信。该技术方案的有益效果在于，对TSV冗余通道结构进行改进，冗余通道位于TSV通道一侧，减少了TSV通道的数量，优化了TSV通道结构，同时通过修复电路对失效的TSV通道进行修复，具有修复效率高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储器，尤其涉及一种存储器结构。

技术介绍

1、存储器dram(dynamic random access memory)一般由两部分组成：控制逻辑(logic)和存储阵列(array)。存储阵列主要由大量的存储单元和检测放大器构成，存储阵列决定了dram的存储容量。如图1所示，传统dram的逻辑控制电路和存储阵列电路集成在同一平面，可称为2d(two-dimensional) dram。2d dram在单位面积上的容量大小主要受限于存储单元的尺寸，一般通过工艺缩小存储单元的面积，来提升单位面积上2d dram的存储容量。目前，dram技术工艺已经逐渐进入瓶颈期，行业预测其缩小的尺寸将会达到物理极限，需要寻找新的架构和材料来提升单位面积上dram的容量。因此，3d(three-dimensional)dram是业界首选作为突破dram工艺极限的新路径。

2、如图2所示，hbm(high bandwidth memory) dram将dram die（裸片）堆叠在logicdie（裸片）上，利用tsv（through silicon本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器结构，包括存储器阵列以及逻辑层，所述存储器阵列设置在逻辑层的一端或两端，所述存储器阵列与逻辑层之间通过TSV通道进行连接通信，其特征在于，所述存储器结构还包括TSV通道冗余结构，所述冗余结构包括冗余通道，所述冗余通道位于所述TSV通道的一侧；

2.根据权利要求1所述的一种存储器结构，其特征在于，所述存储器阵列堆叠在逻辑层的一端或两端时，堆叠的所述存储器阵列之间不共用TSV通道。

3.根据权利要求1所述的一种存储器结构，其特征在于，发生错误的TSV通道距离冗余通道最远时，所述信号发送端以及所述信号接收端与所述发生错误的TSV通道朝向所述冗余通道设置方向...

【技术特征摘要】

1.一种存储器结构，包括存储器阵列以及逻辑层，所述存储器阵列设置在逻辑层的一端或两端，所述存储器阵列与逻辑层之间通过tsv通道进行连接通信，其特征在于，所述存储器结构还包括tsv通道冗余结构，所述冗余结构包括冗余通道，所述冗余通道位于所述tsv通道的一侧；

2.根据权利要求1所述的一种存储器结构，其特征在于，所述存储器阵列堆叠在逻辑层的一端或两端时，堆叠的所述存储器阵列之间不共用tsv通道。

3.根据权利要求1所述的一种存储器结构，其特征在于，发生错误的tsv通道距离冗余通道最远时，所述信号发送端以及所述信号接收端与所述发生错误的tsv通道朝向所述冗余通道设置方向的相邻的tsv通道依次建立通信，朝向所述冗余通道设置方向的最后一个所述信号发送端以及信号接收端与冗余通道建立通信；

4.根据权利要求1所述的一种存储器结构，其特征在于，所述修复电路包括传递任一所述信号发送端至对应tsv通道，以及任一tsv通道至对应的所述信号接收端的三态门电路a；

5.根据权利要求4所述的一种存储器结构，其特征在于，所述修复电路还包括逻辑控制电路，所述逻辑控制电路根据输入的tsv通道错误信号以及使能信号，输出三态门电路a控制信号以及三态门b控制信号；

6.根据权利要求5所述的一种存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋新淼，喻文娟，
申请(专利权)人：浙江力积存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：