补偿电路和用于管理补偿电路中的曲率补偿的方法技术

公开补偿电路和用于管理补偿电路中的曲率补偿的方法，所述补偿电路包括：OPAMP，具有连接到第一电阻器的一端与第一PMOS晶体管的漏极之间的节点的输入。第五PMOS晶体管包括连接到第二NMOS晶体管的漏极和第六PMOS晶体管的栅极的漏极。第二NMOS晶体管的栅极连接到第四PMOS晶体管的漏极与第三电阻器的一端之间的节点。第六PMOS晶体管包括连接到第五电阻器的一端的漏极，并且第五电阻器的另一端连接到第三NMOS晶体管的栅极与第四NMOS晶体管的栅极之间的节点。第七PMOS晶体管包括连接到第二电阻器的另一端与第三二极管之间的节点的漏极。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及带隙电压参考电路及其补偿电路。

技术介绍

1、当前，集成电路可包括用于在存储器元件(例如，闪存等)中生成参考电压的电压参考源(例如，带隙电压参考源等)。带隙电压参考源(可互换地，“bgr源”或“带隙参考”)可生成独立于温度变化和电源变化的恒定电压。带隙参考通过与绝对温度互补(ctat)分量和与绝对温度成比例(ptat)分量的组合而被生成。带隙源中的两个二极管之间的电压差用于在第一电阻器中生成ptat电流。ptat电流用于在第二电阻器中生成电压，然后该电压被添加到二极管之一的电压。以ptat电流进行操作的二极管两端的电压是随着温度升高而减小的ctat分量。如果第一电阻器与第二电阻器之间的比率适当地被选择，则温度的一阶效应可在很大程度上被抵消，从而根据特定环境提供约1.2-1.3v的近似恒定电压。

2、带隙电压参考源用于提供精确的、与温度无关的参考电压，该参考电压期望地使影响存储器元件的电路系统的与电源电压和温度相关的变化的影响最小化。参照图1，提高参考的准确度的方式之一是添加补偿电路100。在补偿电路100中，运算放大器(opam本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种补偿电路，包括：

2.根据权利要求1所述的补偿电路，其中，第三电阻器和第一NMOS晶体管串联连接，以减小补偿电流对至少一个金属氧化物半导体工艺角的依赖性。

3.根据权利要求2所述的补偿电路，其中，补偿电流在第七PMOS晶体管中被复制并被馈送到第二电阻器与第三二极管之间的节点，使得补偿电流对带隙参考电压输出具有对数效应并且降低补偿电流对带隙参考电压输出的敏感度。

4.根据权利要求1所述的补偿电路，其中，所述补偿电路控制存储器中带隙参考电压输出相对于温度的曲率，其中，存储器包括NAND闪存和NOR闪存中的至少一个。

5.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种补偿电路，包括：

2.根据权利要求1所述的补偿电路，其中，第三电阻器和第一nmos晶体管串联连接，以减小补偿电流对至少一个金属氧化物半导体工艺角的依赖性。

3.根据权利要求2所述的补偿电路，其中，补偿电流在第七pmos晶体管中被复制并被馈送到第二电阻器与第三二极管之间的节点，使得补偿电流对带隙参考电压输出具有对数效应并且降低补偿电流对带隙参考电压输出的敏感度。

4.根据权利要求1所述的补偿电路，其中，所述补偿电路控制存储器中带隙参考电压输出相对于温度的曲率，其中，存储器包括nand闪存和nor闪存中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的补偿电路，其中，所述补偿电路控制用于带隙参考电压输出中的曲率校正的与绝对温度互补线性化。

6.根据权利要求1所述的补偿电路，其中，具有比率1：1的第三nmos晶体管和第四nmos晶体管通过确保没有电流流入与绝对温度成...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛格·舒布哈姆·瑞治，辛格·拉温德拉·古玛，泰戈尔·苏博德·普拉卡什，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：