【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、作为半导体设备用的材料，有碳化硅(sic)。碳化硅与硅相比具有带隙约为3倍、击穿电场强度约为10倍、热传导率约为3倍的优异物性。如果活用该特性，例如就能够实现高耐压、低损失并且可进行高温动作的mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor)。
2、例如，在制造使用碳化硅的mosfet时，对于形成在碳化硅晶圆上的多个mosfet，通过在设于设备区域的周围的切割区域进行切断来使其分离。当在将切割区域切断时，存在裂缝进入设备区域而使mosft的可靠性降低的隐患。具体而言，例如，存在水分、可动离子从裂缝侵入设备区域而导致产生mosfet的特性劣化、短路不良的隐患。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备：设备区域；以及切割区域，其包围所述设备区域；所述设备区域包含：第一电极；第二电极；以及碳化硅层，其至少一部分设于所述第一电极与所述第二电极之间，...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。