半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备具有第一面与第二面的碳化硅层、第一面一侧的第一及第二栅极电极、第一导电型的第一碳化硅区域、第一碳化硅区域与第一面之间的第二导电型的第二碳化硅区域、第二碳化硅区域与第一面之间的第二导电型的第三碳化硅区域、第三碳化硅区域与第一面之间的第一导电型的第四碳化硅区域、第一面一侧的第一电极和第二面一侧的第二电极。第一电极包含第一栅极电极与第二栅极电极之间的第一部分，第一部分具有与第四碳化硅区域相接的第一接触面、与第四碳化硅区域相接的第二接触面、与第四碳化硅区域及第三碳化硅区域相接的第三接触面和与第三碳化硅区域相接的第四接触面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

1、作为半导体器件用的材料，有碳化硅。碳化硅与硅比较，具有带隙约3倍、击穿电场强度约10倍、热传导率约3倍这样优异的物性。如果运用该特性，则例如能够实现高耐压、低损耗并且能够高温动作的mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor)。

2、为了提高使用了碳化硅的mosfet的性能，期待减少导通电阻。为了减少mosfet的导通电阻，考虑减少mosfet的寄生电阻。mosfet的寄生电阻例如是源极区域的电阻、源极电极与源极区域之间的接触电阻。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具备：碳化硅层，具有第一面和与所述第一面对置的第二面；第一栅极电极，设于所述碳化硅层的所述第一面一侧；第二栅极电极，设于所述碳化硅层的所述第一面一侧；第一导电型的第一碳化硅区域，设于所述碳化硅层之中，具有与所述第一面相接的第一区域，所述第一区域与所述第一栅极电极对置；第二导电型的第二碳化硅区域，设于所述碳化硅层之中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

...

【专利技术属性】
技术研发人员：朝羽俊介，河野洋志，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：