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本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备设备区域和包围设备区域的切割区域，设备区域包含第一电极、第二电极以及至少一部分设于第一电极与第二电极之间且具有第一电极侧的第一面和第二电极侧的第二面的碳化硅层，切...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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