一种GR环结构的高软度快恢复二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种GR环结构的高软度快恢复二极管及其制备方法，高软度快恢复二极管包括浓掺N型硅衬底，浓掺N型硅衬底上设有轻掺杂硅外延层；在轻掺杂硅外延层的上侧面设有P型掺杂有源区，P型掺杂GR环和3个场限环以及截止环；且除P型掺杂有源区内部及截止环外侧外的其余部分均设有SiO<subgt;2</subgt;氧化层；氧化层内部位于P型掺杂有源区外半侧、P型掺杂GR环区域、场限环外半侧、P型掺杂GR环外侧、截止环内半侧上方设有POLY层；P型掺杂有源区上方设有正面金属层；芯片顶部设有聚酰亚胺钝化保护层；浓掺N型硅衬底下侧设有背面电极金属层。本发明专利技术能够在保证击穿电压的前提下，改善器件的动态参数特性以及雪崩耐量，提高二极管器件的开关软度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路及分立器件制造，具体来说涉及一种gr环结构的高软度快恢复二极管及其制备方法。

技术介绍

1、随着人们环保意识的增强和国际能源贸易环境的恶化，世界各国都在大力扶持新能源领域的发展，igbt这一器件类型逐渐成为明星产品，与之搭配使用的用于续流的二极管，即快恢复二极管也随之受到了市场的重视。快恢复二极管是一种利用p型半导体和n型半导体之间会形成具有单向导通特性的pn结型分立器件，主要应用在消费级和工业级桥式整流电路中将交流信号转化成直流信号，该应用场景下对快恢复二极管的反向击穿电压vr、反向漏电ir、正向导通压降vf和开关速度trr有严格要求。快恢复二极管在实际与igbt搭配的续流应用中，对开关速度trr的要求并不高，因此想要提高快恢复二极管的开关软度因子s，最简单的方法就是通过调节开关速度trr，trr和软度因子s成正相关，但是与此同时正向导通压降vf也会随之改变。为避免该现象的发生，唯一的方法就是调节pn结的掺杂浓度，即材料规格和p型掺杂有源区的掺杂浓度，通过提高或降低掺杂浓度来调节pn结的体电阻，对正向导通压降vf的变化趋势进行补偿。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GR环结构的高软度快恢复二极管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于，所述截止环与所述外场限环的间距为70～100um；掺入所述第四掺杂窗口的磷离子的注入能量为40～60keV、注入剂量为1.5E14～1.5E15。

7.根据权利要求6所述制备方法，其特征在于，>

8.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种gr环结构的高软度快恢复二极管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于，所述截止环与所述外场限环的间距为70～100um；掺入所述第四掺杂窗口的磷离...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱健繁，朱瑞，许柏松，曹益，殷铭标，左浩，
申请(专利权)人：江苏新顺微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：