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本发明公开了一种GR环结构的高软度快恢复二极管及其制备方法，高软度快恢复二极管包括浓掺N型硅衬底，浓掺N型硅衬底上设有轻掺杂硅外延层；在轻掺杂硅外延层的上侧面设有P型掺杂有源区，P型掺杂GR环和3个场限环以及截止环；且除P型掺杂有源区内部及...
该专利属于江苏新顺微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新顺微电子股份有限公司授权不得商用。

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