一种双向TVS二极管结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双向TVS二极管结构，从下至上依次设置有集电极层，N‑外延层，P+注入区，N+注入区，氧化层，AL层，SiN层，其中所述N‑外延层位于所述集电极层上，所述P+注入区位于所述N‑外延层中，所述N+注入区有两层，均位于所述P+注入区中，两个N+截止环位于N‑外延层两侧，所述氧化层位于N‑外延层之上，所述AL层位于氧化层上，所述SiN层位于AL层上。本发明专利技术通过浸泡氢氟酸泡除表面自然形成的薄且疏松的PSG介质层，并进行低压CVD成膜，达到提高介质膜粘附性的目的，更好的保护衬底及掺杂区，同时降低了表面钝化层脱落的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种双向tvs二极管结构及其制备方法。

技术介绍

1、tvs(瞬态电压抑制,transient voltage suppressor)二极管主要特点是在反向应用条件下，承受一个高能量的大脉冲电压，同时把电压钳制在预定水平，可以有效地保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲的损坏。

2、在晶圆加工作业过程中，杂质激活后钳位电压已经定型，钳位电压决定其工作特性，而杂质激活后仍需进行氮气退火以便保证介质膜对衬底及掺杂区形成更好的覆盖性及保护性，此时必须控制氮气退火的温度在900℃低温进行退火，保证不对杂质进行二次激活影响钳位电压。

3、在晶圆加工过程中发现，三氯氧磷淀积后表面会自然形成一层psg(磷酸盐玻璃，phosphate glass)层，该psg层相对薄且疏松，900℃低温氮气退火不足以提升此psg层的致密性，影响后道晶圆加工的钝化层与衬底及掺杂区的粘附性，存在钝化层脱落的风险，影响器件性能可靠性。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种双向tv本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双向TVS二极管结构，其特征在于，从下至上依次设置有集电极层，N-外延层，P+注入区，N+注入区，氧化层，AL层，SiN层，其中所述N-外延层位于所述集电极层上，所述P+注入区位于所述N-外延层中，所述N+注入区有两层，均位于所述P+注入区中，两个N+截止环位于N-外延层两侧，所述氧化层位于N-外延层之上，所述AL层位于氧化层上，所述SiN层位于AL层上。

2.根据权利要求1所述的一种双向TVS二极管结构，其特征在于，所述集电极层厚度为525μm，N-外延层厚度为8.0×(1±5％)μm，电阻率为1.85×(1±5％)Ω.cm，P+注入区厚度为0.2±0.05μm，N...

【技术特征摘要】

1.一种双向tvs二极管结构，其特征在于，从下至上依次设置有集电极层，n-外延层，p+注入区，n+注入区，氧化层，al层，sin层，其中所述n-外延层位于所述集电极层上，所述p+注入区位于所述n-外延层中，所述n+注入区有两层，均位于所述p+注入区中，两个n+截止环位于n-外延层两侧，所述氧化层位于n-外延层之上，所述al层位于氧化层上，所述sin层位于al层上。

2.根据权利要求1所述的一种双向tvs二极管结构，其特征在于，所述集电极层厚度为525μm，n-外延层厚度为8.0×(1±5％)μm，电阻率为1.85×(1±5％)ω.cm，p+注入区厚度为0.2±0.05μm，n+注入区厚度为0.1±0.03μm，氧化层厚度为0.4±0.05μm，al层厚度为5±0.5μm，sin层厚度为0.5±0.05μm。

3.根据权利要求1所述的一种双向tvs二极管结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的一种双向...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，陶勇，
申请(专利权)人：江苏新顺微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：