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本发明公开了一种双向TVS二极管结构，从下至上依次设置有集电极层，N‑外延层，P+注入区，N+注入区，氧化层，AL层，SiN层，其中所述N‑外延层位于所述集电极层上，所述P+注入区位于所述N‑外延层中，所述N+注入区有两层，均位于所述P+注...
该专利属于江苏新顺微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新顺微电子股份有限公司授权不得商用。

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