【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容总体上涉及衬底处理系统，更具体而言涉及静电卡盘。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、例如等离子体增强化学气相沉积(pecvd)处理系统之类的衬底处理系统通常包含喷头和用于支撑衬底的衬底支撑件。衬底支撑件通常实施为静电卡盘(esc)。esc包含夹持电极以在处理期间将衬底夹持至esc。在操作期间，喷头将反应气体分布在衬底上方。在两个电极(例如喷头和衬底支撑件中的rf电极)之间提供射频(rf)电势以产生等离子体。经激发的电子从等离子体中电离或解离反应物气体并产生化学反应性自由基。当这些自由基发生反应时，会在衬底上沉积薄膜。
技术实现思路
1、本文公开了一种esc底涂系统，其包含存储器和控制器。该存储器储存底涂应用。该控制器则被配置成执行该底涂应用以：确定底涂参数；执行完整清洁工艺以移除...
【技术保护点】
1.一种静电卡盘(ESC)底涂系统，其包含：
2.根据权利要求1所述的ESC底涂系统，其中所述底涂参数包含射频功率电平、气体流速、气流压力、气体种类以及沉积工艺的持续时间。
3.根据权利要求1所述的ESC底涂系统，其中所述底涂参数包含在所述一或多个底涂层的沉积期间形成每一底涂层时的所述静电卡盘与喷头之间的间隙尺寸。
4.根据权利要求1所述的ESC底涂系统，其中所述完整清洁工艺包含供应氨至所述处理室。
5.根据权利要求1所述的ESC底涂系统，其中所述一或多个底涂层包含：
6.根据权利要求5所述的ESC底涂系统，...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种静电卡盘(esc)底涂系统，其包含：
2.根据权利要求1所述的esc底涂系统，其中所述底涂参数包含射频功率电平、气体流速、气流压力、气体种类以及沉积工艺的持续时间。
3.根据权利要求1所述的esc底涂系统，其中所述底涂参数包含在所述一或多个底涂层的沉积期间形成每一底涂层时的所述静电卡盘与喷头之间的间隙尺寸。
4.根据权利要求1所述的esc底涂系统，其中所述完整清洁工艺包含供应氨至所述处理室。
5.根据权利要求1所述的esc底涂系统，其中所述一或多个底涂层包含：
6.根据权利要求5所述的esc底涂系统，其中所述第一底涂层以及所述第二底涂层中的每一者均包含硅氧化物或硅氮化物中的至少一者。
7.根据权利要求5所述的esc底涂系统，其中：
8.根据权利要求5所述的esc底涂系统，其中所述第一底涂层和所述第二底涂层包含硅氧化物。
9.根据权利要求5所述的esc底涂系统，其中：
10.根据权利要求5所述的esc底涂系统，其中所述第二底涂层比所述第一底涂层薄。
11.根据权利要求5所述的esc底涂系统，其中所述控制器被配置成将所述esc与喷头之间的间隙的尺寸设定成针对所述第二底涂层的沉积比针对所述第一底涂层的沉积大。
12.根据权利要求5所述的esc底涂系统，其中所述控制器被配置成针对所述第一底涂层的沉积来设定所述esc与喷头之间的间隙的尺寸，并且针对所述第二底涂层的沉积而抑制对所述间隙的所述尺寸的变更。
13.根据权利要求1所述的esc底涂系统，其中所述一或多个底涂层包含：
14.根据权利要求13所述的esc底涂系统，其中：
15.根据权利要求13所述的esc底涂系统，其中所述控制器被配置成将所述esc与喷头之间的间隙的尺寸设定成针对所述一或多个中间底涂层和所述最终底涂层中的至少一者的沉积比针对所述第一底涂层的沉积大。
16.根据权利要求13所述的esc底涂系统，其中所述控制器被配置成针对所述第一底涂层的沉积来设定所述esc与喷头之间的间隙的尺寸，并且针对所述一或多个中间底涂层和所述最终底涂层的沉积而抑制对所述间隙的所述尺寸的变更。
17.根据权利要求1所述的esc底涂系统，其中所述控制器被配置成基于待处理的衬底的预估弯曲量来设定所述总厚度。
18.根据权利要求1所述的esc底涂系统，其中：
19.一种衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪图，季春海，张鹏翼，尼拉杰·拉纳，毕峰，李明，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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