【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及子胞芯片，特别是一种子胞芯片及其热量优化设计方法。
技术介绍
1、子胞芯片是电子器件的基本单元，一个电子器件具有多个子胞芯片，它一般包括栅极组，栅极组由一个或多个单条栅单元平行排列组成，由于多个单条栅单元密集排列，会产生热量积聚。
2、高电子迁移率晶体管特别是gan材料制程的高电子迁移率晶体管，禁带宽度宽，击穿场强高，热传导率高和饱和漂移速度高等特点，越来越多的被运用在卫星通信、雷达及导弹等民用和军用领域。在实际使用特别是大功率应用场景中，器件的自热效应带来的晶格温度的上升，会引起单条栅单元内部的沟道电子迁移率的急剧下降，导致单条栅单元的性能衰退。
技术实现思路
1、本申请的目的在于针对现有技术的不足，降低子胞芯片因为发热导致的性能衰退，将子胞芯片中位于栅极下方沟道区域的部分区域进行改造实现，构建惰性区域，该惰性区域始终处于高阻状态，在所述高阻状态下，源极电子无法经过所述惰性区域到达漏极(无论栅极电压如何，该惰性区域始终处于高阻状态，没有电子移动)，由此，减少发热...
【技术保护点】
1.一种子胞芯片，包括栅极组，所述栅极组由一个或多个单条栅单元平行排列组成，所述单条栅单元包括衬底和设置在衬底上的栅极、源极和漏极，所述衬底具有位于所述栅极下方的沟道区域，其特征在于，至少一个单条栅单元的沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度。
2.根据权利要求1所述的子胞芯片，其特征在于，所述栅极组由N个单条栅单元平行排列组成，N大于等于3，且其中包含n个连续的具有惰性区域的单条栅单元，该栅极组中第M条单条栅单元的惰性区域的宽度W(M)满足：
3.根据权利要求1所述的子胞芯片，其特征在于，所述沟道区域中具有第一镂空区...
【技术特征摘要】
1.一种子胞芯片，包括栅极组，所述栅极组由一个或多个单条栅单元平行排列组成，所述单条栅单元包括衬底和设置在衬底上的栅极、源极和漏极，所述衬底具有位于所述栅极下方的沟道区域，其特征在于，至少一个单条栅单元的沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度。
2.根据权利要求1所述的子胞芯片，其特征在于，所述栅极组由n个单条栅单元平行排列组成，n大于等于3，且其中包含n个连续的具有惰性区域的单条栅单元，该栅极组中第m条单条栅单元的惰性区域的宽度w(m)满足：
3.根据权利要求1所述的子胞芯片，其特征在于，所述沟道区域中具有第一镂空区域，所述第一镂空区域为惰性区域。
4.根据权利要求1所述的子...
【专利技术属性】
技术研发人员：张占龙，宋宾，丁一，
申请(专利权)人：杭州致善微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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