【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、浅沟槽隔离(shallow trench isolation；sti)有助于避免邻近半导体元件之间的漏电流。在浅沟槽隔离中，一或多个沟槽是蚀刻至基材的表面，接着以介电材料作为沟槽隔离层填充，沟槽用来隔离多个半导体元件，沟槽隔离层有助于降低多个半导体元件之间的漏电流。
2、但是，现有的沟槽隔离层存在漏电的情况，并不能够满足需求。
技术实现思路
1、本公开实施例所要解决的技术问题是，提供一种半导体结构及其制备方法，其能够降低沟槽隔离层中的氯含量。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底具有沟槽；
4、在所述沟槽内形成沟槽隔离层，该步骤包括：
5、至少执行一次预处理步骤，以在所述沟槽中形成富氧介质层，所述预处理步骤包括：通入含氯硅源前驱体，并在第一设定温度下保持第一设定时间；停止通入所述含氯硅源前驱体，...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，至少执行三次所述预处理步骤，以形成所述富氧介质层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，多次执行在所述沟槽内形成沟槽隔离层的步骤，以在所述沟槽内形成多层沟槽隔离层。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，多层所述隔离层填满所述沟槽，或者多层所述隔离层填充所述沟槽的部分空间，所述方法还包括：在所述沟槽的剩余空间内形成隔离补充层。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，至少执行三次所述预处理步骤，以形成所述富氧介质层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，多次执行在所述沟槽内形成沟槽隔离层的步骤，以在所述沟槽内形成多层沟槽隔离层。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，多层所述隔离层填满所述沟槽，或者多层所述隔离层填充所述沟槽的部分空间，所述方法还包括：在所述沟槽的剩余空间内形成隔离补充层。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在至少执行一次预处理步骤之后，还包括：采用惰性气体进行吹扫，并持续第四设定时间。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，提供氧自由基及氢自由基的步骤包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：高上，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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