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本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，所述衬底具有沟槽；在所述沟槽内形成沟槽隔离层，该步骤包括：至少执行一次预处理步骤，以在所述沟槽中形成富氧介质层，所述预处理步骤包括：通入含氯硅源前驱体，并在第一设定温度下保...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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