一种推挽结构的CMOS器件制造技术

本发明专利技术涉及一种推挽结构的CMOS器件，包括：P型衬底和设置在P型衬底上的设置在衬底上的第一源极和第一漏极；N型衬底和设置在N型衬底上的设置在衬底上的第二源极和第二漏极；以及，栅极，包含设置在P型衬底的第一栅极和N型衬底上的第二栅极；所述第一栅极控制第一源极与第一漏极的通断，所述第二栅极控制第二源极与第二漏极的通断；本申请的栅极下方的沟道区域中，由于惰性区域的设置，具有电荷移动的导通区域面积减少，发热量降低，有效解决CMOS器件的自热效应带来的性能衰退的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及cmos器件，特别是一种推挽结构的cmos器件。

技术介绍

1、推挽结构是两个参数相同的三极管或mosfet，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通。

2、高电子迁移率晶体管特别是gan材料制程的高电子迁移率晶体管，禁带宽度宽，击穿场强高，热传导率高和饱和漂移速度高等特点，越来越多的被运用在卫星通信、雷达及导弹等民用和军用领域。在实际使用特别是大功率应用场景中，器件的自热效应带来的晶格温度的上升，会引起单条栅单元内部的沟道电子迁移率的急剧下降，导致单条栅单元的性能衰退。

技术实现思路

1、本申请的目的在于针对现有技术的不足，本申请通过将位于栅极下方沟道区域的部分区域进行改造实现，构建惰性区域，该惰性区域始终处于高阻状态，在所述高阻状态下，源极电子无法经过所述惰性区域到达漏极(无论栅极电压如何，该惰性区域始终处于高阻状态，没有电子移动)。

2、一种推挽结构的cmos器件，包括：

3、p型衬底和设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种推挽结构的CMOS器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的推挽结构的CMOS器件，其特征在于，第二源极与第一源极呈镜像对称设置，第二漏极与第一漏极呈镜像对称设置。

3.根据权利要求1所述的推挽结构的CMOS器件，其特征在于，所述沟道区域中具有第一镂空区域，所述第一镂空区域为惰性区域。

4.根据权利要求1所述的推挽结构的CMOS器件，其特征在于，所述沟道区域中具有填充高介电常数的第一填充区域，所述第一填充区域为惰性区域。

5.根据权利要求1所述的推挽结构的CMOS器件，其特征在于，所述沟道区域中具有衬底晶格被破坏的注入区，所...

【技术特征摘要】

1.一种推挽结构的cmos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的推挽结构的cmos器件，其特征在于，第二源极与第一源极呈镜像对称设置，第二漏极与第一漏极呈镜像对称设置。

3.根据权利要求1所述的推挽结构的cmos器件，其特征在于，所述沟道区域中具有第一镂空区域，所述第一镂空区域为惰性区域。

4.根据权利要求1所述的推挽结构的cmos器件，其特征在于，所述沟道区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：张占龙，宋宾，丁一，
申请(专利权)人：杭州致善微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：